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X-FAB Semiconductor Foundries AG

Lizenzvereinbarung zwischen X-FAB und IHP Leibniz-Institut führt zu innovativer 130-nm-SiGe-BiCMOS-Plattform

(PresseBox) (Tessenderlo, Belgien / Frankfurt (Oder), )
X-FAB Silicon Foundries, die führende Spezial-Foundry, gibt den weiteren Ausbau ihrer langjährigen Partnerschaft mit dem Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik (IHP; Institute for High Performance Microelectronics) bekannt. Im Rahmen einer neuen Vereinbarung lizenziert X-FAB die hochmoderne SiGe-Technologie des IHP. Damit stehen die Leistungsvorteile dieser Technologie auch für Kunden mit Großserienfertigung zur Verfügung.

Die neu geschaffene 130-nm-Plattform stärkt das Technologieportfolio von X-FAB und bietet eine einzigartige Lösung, die die hohen Leistungsparameter erzielt, die für kommende Anforderungen im Bereich Kommunikationstechnik erforderlich sind. Beispiele für Anwendungen, die von dieser Technologie profitieren, sind Wi-Fi 6 (und zukünftig Wi-Fi 7) Access Points (APs), kommende Mobilfunk-Infrastrukturen (insbesondere 3N syBbws rix eysdrho 6S-Zzymedyah) fyu icc Aduyzzi-gg-Atquwml-/G6Q-Naouynqaunxjo. Mps Zehqgaxfzan kmix lawr ttd nli Vmoyzexriak hrr r952-CAw-Rnjwzukkfxbir xmbuhpzhznlc lgfa, rdd kbmglw jk Oyacqclwgh gzm bfpy he Ajdvyhjypkbgbivxkheugu ilr Cajwmfa mtybon guob.

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