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X-FAB erweitert 0,18-Mikrometer-Hochvolt-Foundryprozess um eFlash-Option

XH018-eFlash-Technologieerweiterung bietet kosteneffizienteste Kombination von Hochvoltoptionen und integrierten Flashspeichern für komplexe System-on-Chip-Lösungen

(PresseBox) (Erfurt, )
X-FAB Silicon Foundries erweitert heute ihren 0,18-Mikrometer-Hochvolt-Prozess (XH018) um eine äußerst zuverlässige, neue integrierte eFlash-Lösung. Mit der weltweit geringsten Maskenanzahl von insgesamt nur 32 Masken für die Kombination von Digital-, Analog- und Hochvoltfunktionen inklusive eFlash bietet der Prozess das beste Kosten-Nutzen-Verhältnis der Foundry-Industrie für komplexe System-on-Chip-Lösungen (SoCs). Um das eFlash-Modul zu verwenden werden nur zwei zusätzliche Masken benötigt. Die Technologie unterstützt Betriebsspannungen bis zu 45 V sowie die gleichzeitige Integration von drei verschiedenen Speicherarchitekturen - EEPROM, NVRAM und eFlash. Die verfügbaren Technologiekombinationen sind bestens geeignet für schnelle Mikrocontroller, digital-gesteuerte Leistungselektronik- und Automobilanwendungen. X-FAB wird die neue Lösung in einem englischsprachigen Dgwsyqb jxa abq Lshev "Oixzilzw Nff-Bvkehhqn Mfdafcuv Hdkq Obfk - hRdwds &

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