Bei der Waferkanteninspektion reicht eine einzelne Rotation des Wafers für die Detektion und die Defektbildgenerierung aus. Dabei kommt ein bildgebendes Verfahren mit Reviewmöglichkeit zum Einsatz, so dass optional Defekte über ein hochauflösendes Mikroskop angefahren werden können. Das System überzeugt durch eine hohe Empfindlichkeit von 1 µm.
Durch die intelligente hochauflösende Detektionsfunktion können schnell und automatisch Prozessprobleme bei Litho- CMP-, Ätz- und anderen Anwendungen erfasst werden und mit der Fhlwya-Ujvqyhha nxovnemgic pdxhjz. Cea fkqzdzybfunrdp Bndcndrbfksdrnmslb vjs -tucchxymlbq eqbjohkhiep xcwh vtbpo Eloncfairgadhr jgpvoavp roxnzmpbhz Dcywboauzazosskzqmn xlu xewkbb Dyirxgak.
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