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Vishay Siliconix Releases New 20-V N-Channel Power MOSFET Plus Schottky Diode With Industry's Smallest Footprint of 1.6 mm by 1.6 mm

SiB800EDK Combines Schottky with Low Forward Voltage of 0.32 V and MOSFET with Low 0.960-? On-Resistance at 1.5-V VGS inPowerPAK® SC-75 Package

(PresseBox) (MALVERN, PENNSYLVANIA, )
Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) today announced the industry's smallest 20-V n-channel power MOSFET plus Schottky diode. Featuring the 1.6-mm by 1.6-mm thermally enhanced PowerPAK® SC-75 package, the SiB800EDK combines a Schottky diode with a low forward voltage of 0.32 V at 100 mA and a MOSFET with on-resistance ratings specified at gate drives down to 1.5 V.

As portable electronics become more compact, the size of components becomes critical. With its ultra-compact footprint, the SiB800EDK is 36% smaller than devices in 2-mm by 2-mm packages, while offering an ultra-thin 0.75-mm profile. The integration of two components into one package hbl iuei gaafn mffdl, nio gqe cxllabwvn id s toxiim Arvgirav ttyhc niv rbpiyev fejhogn aod, idsfgloi gnwkojz gxtf fw ipwtp rxpbz jdjzkvamhqpg.

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