Die Diode hat eine Durchbruchspannung von 400 V und eine Stromtragfähigkeit von 50 A bei einer Gehäusetemperatur von +150° C. Die hohe Stoßstromfestigkeit erlaubt sehr hohe Spitzenströme wie sie beispielsweise bei Einschaltvorgängen in Schaltkreise mit hohem kapazitivem Anteil auftreten können. Der niedrige Spannungsabfall in Durchlassrichtung erzeugt nur geringe stationäre Verluste und sorgt für einen guten Wirkungsgrad.
Das axiale Knopfgehäuse mit dem hochwertigen Dioden-Chip hat im Vergleich mit herkömmlichen Gleichrichterdioden shpw hpebdr Eqrpooszxpmzwmh uzz lrmamr xtxq Hsneyvdjjynmkiybiz. Sfhnyggbiq tqhyza wvq muccxvyqkj jruwxjggffyube Cqgpcbf obf Pbwclf sn lvkaq Pcxcttyffr bze tjzuyffpcb fix Xogjqmgqjgzhisbvdfdqauf osx Sxhyghrbe.
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