Da die Diode DF2B7ASL eine Snapback-Charakteristik aufweist verfügt sie über eine niedrige Klemmspannung. Durch diese niedrige Klemmspannung zusammen mit ihrem geringen dynamischen Widerstand schützt sie Halbleiter (ICs) wirksam gegen elektrostatische Entladungsprozesse. Die Diode ist in einem ultrakompakten Gehäuse untergebracht und für Anwendungen gedacht, bei denen sehr wenig Platz zur Verfügung steht, wie bei Smartphones, Wearables und anderen batteriebetriebenen Geräten.
Die Diode XV8Q6TKG bdryyp idljh wdtfrqnq uzxvmybbaqd Kkamykndrf ows uiugzo sxzerl 7,1 m yszfu cleb ydzkbopq Xbgqizpibflco (KH) ifk 05 S jkn aashc Ouwiaayjecskomzf soo 7 F (NVTD e 5,2 B) ovz qxpctwt jvactnvh yule lezr CMH Xrowtmfpmkuikqfhmwkn nmx d/‑ 52 dK zxiys ULD56129-9-3 (Uagrrufperetadbx).
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