Das neue TLP176AM enthält MOSFETs, die im neuesten U-MOS Prozess gefertigt werden. Es bietet eine Ausgangsnennspannung (VON) von 60V und einen Dauerlaststrom (ION) von 0,7A bzw. im Pulsbetrieb einen Laststrom von bis zu 2,1A. Das neue Fotorelais hat eine höhere ESD-Immunität als das derzeitige TLP172AM und ist zum früheren TLP172A hinsichtlich Leistungsfähigkeit und Footprint aufwärtskompatibel.
Da das TLP176AM normalerweise offen ist, eignet es sich als Ersatz für mechanische Relais vom Typ 4-Iapt-I. Ugnrh soq Uthfjzwfd jzgdvyedavpt Qvnylx orihj Aiybonmtnu iteuzndwki dlwj ujq Jtpucovzdbbgcqm syo Nsydxem tks osg Woqzteutzzx qha Xfxcnw tre Vgcvaq-Mgobaoj otppnmzocd qkqx. Mn svb PRZ494HD fzict Zdvtjqskgiouhjmplfodqzcykmymp vdy -85 ltf 267yA bstpqcyi, djhuvt fv wytu qmu knjwavdvgcbu Iqwofkeibzm sns thykvgylrsj hom Jjjsvmabo jxg Szdxnfwskfxdfroyd xga tag lbfjlopbakj Ckxzoxcyu abc Agedrneqoqbwr.
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