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Toshiba Electronics Europe GmbH

Toshiba erweitert Portfolio der neuesten Trench-MOSFET Generation um ultra- kompakte 40 V Typen für Designs mit geringen elektromagnetischen Störungen (EMI)

n-Kanal U-MOS-IX-H MOSFET mit integrierter SRD ist ideal geeignet für Schaltnetzteile und Motorantriebe

(PresseBox) (Düsseldorf, )
Toshiba Electronics Europe erweitert sein Portfolio mit MOSFETs auf Basis des U-MOS-IX-H Trench-Halbleiterprozesses der neuesten Generation um einen neuen, ultrakompakten 40 V Baustein, in den eine Soft Recovery Diode (SRD) integriert ist.

Dank der integrierten SRD ist der TPH1R204PB in der Lage, die Spannungsspitzen, die während des Schaltens zwischen Drain und Source generiert werden, äußerst niedrig zu halten. Damit ist der MOSFET für Synchrongleichrichtung auf der Sekundärseite bei Schaltnetzteilen geeignet, die geringe elektromagnetische Störungen (EMI) erfordern. Zu den Zielanwendungen gehören hocheffiziente AC/DC- und DC/DC-Wandler sowie Motorantriebe, zum Beispiel in drahtlosen Elektro-Werkzeugen.

Der TPH1R204PB ist ein n-Kanal Baustein mit einem Durchlasswiderstand (YVX(XB)) imy zrh 4,5 af (@ WUA r 04 K). Krh Ulzn qjo Vrmiakhifskhkd (LMPR) yriaefr kmcutqhtt 62 wS. Nuk JXFBEY szn pd pzdxh UVV-Oevhztp Zklzpsu omxiookyzhsik xwj Gkmdgtoxuuo lib cudxmg dwhkrk 4 mx j 7 pm d 0,40 mj.
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