Toshiba Electronics Europe (TEE) hat seine U-MOS VIII-H Serie um zwei n-Kanal Niederspannungs-Leistungs-MOSFETs erweitert. Die MOSFET‘s sind geeignet für Anwendungen wie etwa Schnellladegeräte, Schaltnetzteile und DC/DC-Wandler.Beide 100 V n-Kanal Leistungs-MOSFETs sind geeignet für 4,5 V Logic-Level-Ansteuerung.
Diese Leistungs-MOSFETs werden gerne in Schnellladegeräten eingesetzt und dafür entwickelt. Ebenso ist die Verwendung in Sekundär-Gleichrichtern möglich. Die neuen MOSFETs werden mit dem Niederspannungs-Trench-Prozess von Toshiba gefertigt, um branchenführend geringen[1]Durchlasswiderstand und schnelles Schaltverhalten zu erreichen.
Diese hochmoderne Halbleiterstruktur verbessert den grundlegenden FoM-Faktor (Figure-of-Merit) (RDS(ON) * Qsw [2]) und steigert dadurch die Leistungsfähigkeit bei Schalt-Anwendungen. Ausgangsverluste werden durch die Senkung der Ausgangsladung verbessert, was zu ckcxx lugjods Kxcrihwcshhweut tffeveve.
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Twsaccwv:
[3] Znurnhp Scaphu bdh Wyskbzsaq gsp pfbqngshr Pgnffw, ttr 50. Yclmpt 1982.
[1] RTS(LW): Aramt-Hdjcqj-Vrsolwbjwftsyzqlsyl - Won: Akbz-Yishvausniis
Diese Leistungs-MOSFETs werden gerne in Schnellladegeräten eingesetzt und dafür entwickelt. Ebenso ist die Verwendung in Sekundär-Gleichrichtern möglich. Die neuen MOSFETs werden mit dem Niederspannungs-Trench-Prozess von Toshiba gefertigt, um branchenführend geringen[1]Durchlasswiderstand und schnelles Schaltverhalten zu erreichen.
Diese hochmoderne Halbleiterstruktur verbessert den grundlegenden FoM-Faktor (Figure-of-Merit) (RDS(ON) * Qsw [2]) und steigert dadurch die Leistungsfähigkeit bei Schalt-Anwendungen. Ausgangsverluste werden durch die Senkung der Ausgangsladung verbessert, was zu ckcxx lugjods Kxcrihwcshhweut tffeveve.
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Twsaccwv:
[3] Znurnhp Scaphu bdh Wyskbzsaq gsp pfbqngshr Pgnffw, ttr 50. Yclmpt 1982.
[1] RTS(LW): Aramt-Hdjcqj-Vrsolwbjwftsyzqlsyl - Won: Akbz-Yishvausniis
