Toshiba bringt 100 V n-Kanal Leistungs-MOSFETs auf den Markt

Effizienzsteigerung durch 4,5 V Logic-Level-Ansteuerung für Schnellladegeräte

(PresseBox) ( Düsseldorf, )
Toshiba Electronics Europe (TEE) hat seine U-MOS VIII-H Serie um zwei n-Kanal Niederspannungs-Leistungs-MOSFETs erweitert. Die MOSFET‘s sind geeignet für Anwendungen wie etwa Schnellladegeräte, Schaltnetzteile und DC/DC-Wandler.Beide 100 V n-Kanal Leistungs-MOSFETs sind geeignet für 4,5 V Logic-Level-Ansteuerung.

Diese Leistungs-MOSFETs werden gerne in Schnellladegeräten eingesetzt und dafür entwickelt. Ebenso ist die Verwendung in Sekundär-Gleichrichtern möglich. Die neuen MOSFETs werden mit dem Niederspannungs-Trench-Prozess von Toshiba gefertigt, um branchenführend geringen[1]Durchlasswiderstand und schnelles Schaltverhalten zu erreichen.

Diese hochmoderne Halbleiterstruktur verbessert den grundlegenden FoM-Faktor (Figure-of-Merit) (RDS(ON) * Qsw [2]) und steigert dadurch die Leistungsfähigkeit bei Schalt-Anwendungen. Ausgangsverluste werden durch die Senkung der Ausgangsladung verbessert, was zu einer höheren Systemeffizienz beiträgt.

Der MOSFET vom Typ TPH6R30ANL verkraftet Stromstärken (ID) bis zu 45 A und hat extrem kleine Durchlasswiderstände RDS(ON) ab 6,3 mOhm, während der TPH4R10ANL mit 70 A und 4,1 mOhm überzeugt.

Die Unterstützung für 4,5 V Logic-Level-Ansteuerung ermöglicht die pufferlose Ansteuerung vom Controller-IC, was den Energieverbrauch senkt. Darüber hinaus sind die MOSFET’s  für Schaltnetzteile mit hoher Ausgangsleistung, wie sie nach USB 3.0 -Standard benötigt wird nutzbar. Das Standardgehäuse SOP-Advance mit 5 x 6 mm hilft, die erforderliche Platinenfläche zu reduzieren.

Beide Geräte sind sofort lieferbar.

Hinweise:

[1] Toshiba Studie von Produkten mit demselben Rating, vom 11. Januar 2017.

[2] RDS(ON): Drain-Source-Durchlasswiderstand - Qsw: Gate-Schaltladung
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