Toshiba bringt 100 V n-Kanal Leistungs-MOSFETs auf den Markt

Effizienzsteigerung durch 4,5 V Logic-Level-Ansteuerung für Schnellladegeräte

(PresseBox) (Düsseldorf, ) Toshiba Electronics Europe (TEE) hat seine U-MOS VIII-H Serie um zwei n-Kanal Niederspannungs-Leistungs-MOSFETs erweitert. Die MOSFET‘s sind geeignet für Anwendungen wie etwa Schnellladegeräte, Schaltnetzteile und DC/DC-Wandler.Beide 100 V n-Kanal Leistungs-MOSFETs sind geeignet für 4,5 V Logic-Level-Ansteuerung.

Diese Leistungs-MOSFETs werden gerne in Schnellladegeräten eingesetzt und dafür entwickelt. Ebenso ist die Verwendung in Sekundär-Gleichrichtern möglich. Die neuen MOSFETs werden mit dem Niederspannungs-Trench-Prozess von Toshiba gefertigt, um branchenführend geringen[1]Durchlasswiderstand und schnelles Schaltverhalten zu erreichen.

Diese hochmoderne Halbleiterstruktur verbessert den grundlegenden FoM-Faktor (Figure-of-Merit) (RDS(ON) * Qsw [2]) und steigert dadurch die Leistungsfähigkeit bei Schalt-Anwendungen. Ausgangsverluste werden durch die Senkung der Ausgangsladung verbessert, was zu einer höheren Systemeffizienz beiträgt.

Der MOSFET vom Typ TPH6R30ANL verkraftet Stromstärken (ID) bis zu 45 A und hat extrem kleine Durchlasswiderstände RDS(ON) ab 6,3 mOhm, während der TPH4R10ANL mit 70 A und 4,1 mOhm überzeugt.

Die Unterstützung für 4,5 V Logic-Level-Ansteuerung ermöglicht die pufferlose Ansteuerung vom Controller-IC, was den Energieverbrauch senkt. Darüber hinaus sind die MOSFET’s  für Schaltnetzteile mit hoher Ausgangsleistung, wie sie nach USB 3.0 -Standard benötigt wird nutzbar. Das Standardgehäuse SOP-Advance mit 5 x 6 mm hilft, die erforderliche Platinenfläche zu reduzieren.

Beide Geräte sind sofort lieferbar.

Hinweise:

[1] Toshiba Studie von Produkten mit demselben Rating, vom 11. Januar 2017.

[2] RDS(ON): Drain-Source-Durchlasswiderstand - Qsw: Gate-Schaltladung

Toshiba Electronics Europe GmbH

Toshiba Electronics Europe (TEE) ist die europäische Niederlassung der Toshiba Corporation, einem der weltweit größten Halbleiterhersteller, die das Geschäft mit elektronischen Bauelementen verantwortet. TEE bietet eine der branchenweit umfangreichsten Produktlinien im Bereich ICs und diskrete Bauelemente, einschließlich Speicher, Mikrocontroller, ASICs, ASSPs für die Märkte Automotive, Multimedia, Industrie, Telekommunikation und Netzwerktechnik. Zudem besitzt Toshiba Electronics Europe ein umfassendes Angebot an Leistungshalbleiterlösungen und Speicherprodukten inklusive HDDs, SSDs, SD-Karten und USB-Sticks.

TEE wurde 1973 in Neuss gegründet und stellt heute Design-, Fertigungs-, Marketing- und Vertriebsaktivitäten über seine Zentrale in Düsseldorf zur Verfügung. Weitere Niederlassungen finden sich in England, Frankreich, Italien, Schweden und Spanien. TEE beschäftigt in Europa ca. 300 Mitarbeiter. Präsident des Unternehmens ist Mr. Akira Morinaga.

Weitere Informationen über Toshiba Electronics Europe unter: www.toshiba.semicon-storage.com.

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