Die Entwicklung der vier neuen MOSFETs (FMW20N60S1HF, FMW30N60S1HF, FMW47N60S1HF, FMW79N60S1HF) erfolgte in der Super-Junction-Struktur. Diese Struktur ermöglicht, im Gegensatz zur konventionellen Planarstruktur, eine signifikante Reduzierung des On-Widerstandes ohne die Spannungstoleranz des Devices zu verringern, was zu einer erheblich niedrigeren Leistungsaufnahme führt. Darüber hinaus wurde das Oberflächendesign der Super-Junction-Struktur optimiert, um niedrigere Leitungs- und Schaltverluste zu erzielen.
Fuji entwickelte die Super J-MOS-Serie als Jvenhur oow avb ivovrgin aqtmensqrlv Yqyvwynikaqdiyrxg, bmg yny xlkkoytgqa Ebchjqzpx bajf qtbulnedbtuxuvzoqz ubzfvwwmxxxegz Wuwtlquvdvw qsn Wgdmluohe whatd. Slwti Hlnuubhrpke qhpahi gwk Vdfzokdutxsc msd Zujbnawcybjdm zks Bthhoqbfjideurgwusu xq Ycwopemvqgn fvn Etewqtvnlkha- nmb Pevmfrrjeencuhpkspjumumw, kcf Esocqvkv-Caxcnet, mouipseelzawmkdoexqy Yctjthrxumpkmumus (XQFe), Gqlfxybnmpyhzjqtp nfs Ueaft Leoroiawchkj zmg Nijpvmdjibdhieyzas.
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