PresseBox
Pressemitteilung BoxID: 517306 (ROHM Semiconductor GmbH)
  • ROHM Semiconductor GmbH
  • Karl-Arnold-Strasse 15
  • 47877 Willich
  • http://www.rohmeurope.com
  • Ansprechpartner
  • Evelyn Stepken
  • +49 (89) 67346130

ROHM Semiconductor stellt neue Hochspannungs- SiC-Gatetreiber vor

Eine spezielle Mikrofabrikations-Technologie ergibt eine Isolationsspannung von 2.500 Vrms und sorgt für einfachere Designs

(PresseBox) (Willich-Münchheide, ) ROHM Semiconductor präsentiert seine neue BM6-Familie, die aus SiC-Gatetreibern mit 2.500 Vrms Isolationsspannung besteht und die Realisierung kompakter Designs mit geringer Leistungsaufnahme erleichtert. Mit ihren besonderen Eigenschaften eignen sich die Bausteine ideal für die Ansteuerung von Wechselrichtern und Gleichspannungswandlern in Solar und Automotive-Anwendungen. Dank ihrer elektrischen Eigenschaften und ihrer hohen Ausgangsspannung können sie zum Ansteuern sowohl von IGBTs als auch von SiC-MOSFETs eingesetzt werden. Gemeinsam mit den SiC-Bauelementen von ROHM eingesetzt, garantiert die neue Serie einen stabilen und schnellen Betrieb auch bei hohen Leistungen.

Bei der Entwicklung von Prozessen für On-Chip-Übertrager griff ROHM auf sein proprietäres Mikrofabrikations-Know-How zurück. Dank des einzigartigen Designs reduzieren sich die Abmessungen auf die eines kompakten SSOP-B20W-Gehäuses. Da außerdem keine externen Bauelemente benötigt werden, fällt der Flächenbedarf gegenüber konventionellen Produkten um rund 50 % geringer aus. Die originale kernlose Übertragertechnologie hat außerdem eine isolierende Funktion, die eine Isolationsspannung von 2.500 Vrms gewährleistet.

Darüber hinaus sind mehrere Schutzfunktionen eingebaut, wie etwa eine bei Überhitzung ansprechende Shutdown-Funktion, ein Kurzschlussschutz mit Entsättigungs-Funktion sowie Fehler und Lastkontrolle. All dies steigert die Zuverlässigkeit, senkt den Designaufwand und trägt zur Miniaturisierung bei. Eine Soft-Abschaltfunktion deaktiviert den Wechselrichter im Fall einer Desaturation.

Technische Daten des BM6103FV-C:

- Eingangsspannung (Vcc1): min. 4,5V bis max. 5,5 V
- Ausgangsspannung (Vcc2): min. 12 V bis max. 24 V
- Ausgangsspannung (VEE2): min. -12 V bis max. 0 V
- Betriebstemperaturbereich (Ta): min. -40 °C bis +125 °C
- Nenn-Ausgangsstrom (Spitzenwert): 5,0 A
- Isolationsspannung: 2.500 Vrms
- Signallaufzeit Eingang/Ausgang: 400 ns
- Gehäuse: SSOP-B20W (6,5 mm x 8,1 mm, H = 2,01 mm max.)

Verfügbarkeit

Muster sind umgehend verfügbar. Der Beginn der Massenproduktion ist für September 2012 vorgesehen.

ROHM Semiconductor GmbH

ROHM Semiconductor, ein weltweit aktives Unternehmen, das im Jahr 2011 einen Umsatz von rund 3,8 Mrd. US-Dollar erwirtschaftete und 21.500 Mitarbeiter beschäftigt, entwickelt und produziert eine umfangreiche Produktpalette, zu der integrierte Schaltungen, Dioden, Transistoren, LEDs und weitere elektronische Bauelemente, aber auch Widerstände, Tantal-Kondensatoren, Display-Einheiten und Druckköpfe gehören. Die Produktion erfolgt in modernsten Fertigungsstätten in Japan, Korea, Malaysia, Thailand, den Philippinen und China. OKI Semiconductor (jetzt Lapis Semiconductor), SyCristal AG und Kionix gehören ebenfalls der ROHM Semiconductor Group an.

ROHM Semiconductor Europe mit seiner Zentrale nahe Düsseldorf betreut die EMEA-Region (Europe, Middle East, Africa).

Für weitere Informationen besuchen Sie bitte www.rohm.com/eu

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