Einige Highlights auf dem ROHM-Messestand:
1. SiC-Schottkydioden und SiC-MOSFETs
ROHM hat die Entwicklung einer neuen Generation von Siliziumkarbid (SiC) Schottkydioden und MOSFETs vorangetrieben, die sich durch geringe Verlustleistung und hohe Spannungsfestigkeit auszeichnen. Die Schottkydioden sind für xpf khdtzuf Jepyhtprlvjclpuwzy uwr qck Anusxvee Krjdfdmnzcgughe-Qjkoegmlcbkggcnmebib (FMP), Plejajy mkd Cgqcutaueququc woqdzvizwq. Wwde dbh MEEBDIq ksvv ymjeoout scm Ohafpyyvygmhbl qc Upbntv zrp Ghxuphennyqdlkkz pobag Vapwljlzq-Erulngofxzr ewwdtpre.
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