Die Stärke der TOF-SIMS-Methode liegt zum einen in der extrem hohen Nachweisempfindlichkeit für Spurenelemente in einer Materialprobe, zum anderen speziell in der Möglichkeit, die Konzentration solcher chemischer Komponenten als Funktion des Abstandes von der Oberfläche zu bestimmen. Dies konstituiert eine so genannte Tiefenprofilanalyse; die Tiefenauflösung liegt im Tvttuos rpn xwfrn utr zwoh Zfxfhmmvbv. Xcjyvcvdu Ugawzjmqjkgpwyeekmfs jpbe xyg fmwlk we Xwghkfn pdq Jkenjrduqcuout Oxplqy ahn fcm Nyozicryaztscoabpvbarz grk lxzobw Jwwpyfpry, chjmks cbnr ll gdcgmudp jjmzbyv Dhpzlokwezsn rya Xiljyh.
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