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ON Semiconductor stellt SiC-Dioden für anspruchsvolle Automotive-Anwendungen vor

Weniger Verluste und höhere Schaltleistung ermöglichen hocheffiziente, platzsparende Lösungen zu geringeren Gesamtsystemkosten / PCIM, Nürnberg, 5.-7. Juni 2018, Halle 9, Stand 342

(PresseBox) (Phoenix, AZ, )
ON Semiconductor (Nasdaq: ON), Vorreiter im Bereich energieeffizienter Innovationen, erweitert sein Angebot an Siliziumkarbid-(SiC-)Schottky-Dioden um Varianten, die speziell für anspruchsvolle Automotive-Anwendungen entwickelt wurden. Die neuen AEC-zertifizierten Dioden bieten die Zuverlässigkeit und Robustheit, wie sie für moderne Automotive-Anwendungen erforderlich ist, sowie zahlreiche weitere Vorteile, die Wide-Band-Gap-(WBG-)Halbleiter wie SiC mit sich bringen.

SiC-Technologie bietet im Vergleich zu reinen Si-Halbleitern eine höhere Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit. Die Dioden haben keinen Sperrverzögerungsstrom und die Schaltleistung ist unabhängig von der Temperatur. Ein hervorragendes Wärmeverhalten, die höhere Leistungsdichte und reduzierte EMI sowie kleinere Systemgrößen und -kosten machen SiC zu einer überzeugenden Wahl für die zunehmende Zahl mtnenbyjagtapbkydqsy Fobospzsmq-Rwwcoetghcc.

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