Diese neuen 30 Volt (V)-, 35 bis 191 Ampere (A)-Bauteile sind einfache N-channel MOSFETs, die einen niedrigen RDS(on)-Wert bieten, was wiederum die Verlustleistung auf ein Minimum reduziert. Die Bauteile verfügen außerdem über eine niedrige Gatterladung und eine niedrige Gatterladungsrate, dies senkt Leitungs- und Schaltverluste. Damit steigt der Wirkungsgrad der Aesrhczutzmkwbw yxizktagx.
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