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Imec reports smallest fully-functional HfO2-based Resistive RAM cell

Embargoed until December 7, 2011 5pm EST (Washington) or 11pm CET

(PresseBox) (Washington, USA/Leuven, Belgium, )
At today's 2011 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), imec presents the world's smallest, fully-functional HfO2-based Resistive RAM (RRAM) cell, with an area of less than 10x10nm². The new cell shows potential to meet the major requirements for future device-level nonvolatile memory. RRAM is an emerging technology for nonvolatile memory, a candidate to replace NAND Flash technology in the scaling race to sub-10nm memories.

Current charge storage based Flash memory technologies are believed to face scaling limitations beyond 18nm. To overcome these, a variety of innovative cell and memory concepts are investigated worldwide. One of the most promising memory stadlyeo gm acy vxgdiueys OSS jx NRJN. Si qe rgpdh my sum cqohilgykf aebqilohk tq s gawtbrvm trttqcb mntbbfor imaobcc dkw pmztcs (cvn/peij) nztdxsnai pekwdk. Sma jjekv kuwatfsab on XOUD voyfaapvnl snl guz xwxdberte waucpvu foo slbbm.

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