DER 100-W-HF-LEISTUNGSTRANSISTOR IN GAN-AUF-SI VON NITRONEX GEHT IN SERIE

(PresseBox) ( Heilbronn, )
Nitronex (Vertrieb: GLOBES Elektronik), ein innovativer Entwickler und Hersteller von hochleistungsfähigen HF-Leistungstransistoren für die kommerziellen und die Breitbandfunkinfrastruktur-Märkte, hat einen Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit (HEMT) in Galliumnitrid-auf-Silizium-Technik für 28 V in der 100-W-Klasse entwickelt, der speziell für Anwendungen zwischen 2,1 und 2,7 GHz bestimmt ist. Entwickelt auf Basis des patentierten SIGANTIC®-Prozesses NRF1, ist der GaN-auf-Si-Hochfrequenzleistungstransistor NPT25100 ideal für Anwendungen in Dauerstrichleistungs- (CW), Puls-, WiMAX-, WCDMA- und LTE(Long Term Evolution)-Betrieb. Das Produktqualifikationsblatt zum NPT25100 ist erhältlich unter http://www.nitronex.com/wimaxgan/wimaxgan.html.

"Wir haben die Betriebsfrequenz erweitert und die Ausgangsleistung der NPT25100-Bauteile erhöht, gleichzeitig die Kosten pro Watt Spitzenleistung auf die niedrigsten in der GaN-Industrie gesenkt. Die inhärenten Breitbandeigenschaften dieses Bauteils, kombiniert mit seiner effizienten linearen Leistung und seinem wettbewerbsfähigen Preis machen es zu einer zwingenden Lösung für viele WiMAX-Infrastrukturlösungen", berichtete Ray Crampton, Marketingdirektor bei Nitronex. "Nach strengen Tests sind die Leistungstransistoren NPT25100 verfügbar. Unser Qualifizierungsbericht ist online verfügbar."

Die typische Leistung liegt bei Verwendung einer WiMAX-Modulation, die als Einzelträger-OFDM-Signal 64-QAM ¾, 8 Burst, Kanalbandbreite 3,5 MHz definiert ist, bei 10,3 dB PAR @ 0,01% Wahrscheinlichkeit bei CCDF. Unter diesen Bedingungen liefert der Transistor NPT25100 eine Leistungsverstärkung von 16,5 dB mit einem Drain-Wirkungsgrad von 26 % und einer EVM (Error Vector Magnitude) von 2,0 % - das Ganze bei 10 W Leistung. Die typische Doppeltonspitzenleistung (PEP) beträgt 125 W, und der Drain-Wirkungsgrad mehr als 65 %.

Die Transistoren NPT25100 sind in einem thermisch verbesserten Kupfer-Molybdän-Kupfer-Gehäuse untergebracht, das in einer anschraubbaren Version erhältlich ist. Muster und Anwendungsleiterplatten sind auf Anfrage erhältlich. Die Lieferzeit beträgt ab Lager bis zu acht Wochen.

Die Firma Nitronex, die sich auf die Entwicklung und Fertigung von Galliumnitrid-(GaN)-Hochfrequenzbauteilen spezialisiert hat, ist Weltmarktführer bei hochleistungsfähigen Hochfrequenz-Leistungstransistoren in GaN-auf-Silizium-Technologie (GaN on Si) für die kommerziellen Funkinfrastruktur-, Breitband- und militärischen Märkte. Auf Grundlage seines patentierten SIGANTIC®-Prozesses – Galliumnitrid-auf-Silizium-Technologie – liegt Nitronex bei der Markteinführung der GaN-Technologie für Hf-Anwendungen an vorderster Stelle. Die Fähigkeit der Firma, die Fachrichtungen Schichtenaufwachsen, Wafer-Verarbeitung, Bauteilkonstruktion und Kenntnisse über Funkanwendungen zu kombinieren, ist in der Branche einzigartig.

Nähere Informationen unter www.globes.de
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