BeRex bringt neue Generation von pHEMT-Leistungstransistoren auf den Markt

Neue Familie von Leistungs-pHEMT-FETs BCPxxxC bietet hohe Zuverlässigkeit und Leistungseffizienz

Santa Clara (CA), (PresseBox) - BeRex, ein führender Anbieter von GaAs-Hochleistungsbauelementen der Typen pHEMT (pseudomorphic High Electron Mobility Transistor, pseudomorpher Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit) und MESFET (MEtal Semiconductor Field-Effect Transistor, Metall-Halbleiter-Feldeffekttransistor) meldet heute die Markteinführung einer neuen Familie von pHEMT-FETs (pHEMT-Feldeffekttansistoren), der “BCPxxxC-Serie”. Diese neuen FETs zeichnen sich durch einen erhöhten Stromwirkungsgrad bei exzellentem Verstärkungs- und Leistungsverhalten aus. Damit eignen sie sich ausgezeichnet für C-, X-, Ku- und K-Band-Verstärker.

Die neuen BCPxxxC-FETs sind als ungehäuster Chip (Bare Die) mit einer Nenn-Gatelänge von 0,25 µm und Gatebreiten von 200 µm bis 2400 µm erhältlich und liefern eine Ausgangsleistung von bis zu einem Watt bei Frequenzen bis 27 GHz.

Diese Bauelemente werden in den USA entwickelt und gefertigt, wobei modernste Metallisierungs- und Si3N4-Passivierungsverfahren zur Anwendung kommen, damit ein Höchstmaß an Zuverlässigkeit für kommerzielle oder militärische Anwendungen gewährleistet ist.

Zur pHEMT-Familie BCPxxxC gehören die Versionen BCP020C, BCP030C, BCP040C, BCP060C, BCP080C, BCP120C, BCP160C und BCP240C.

“Die neue pHEMT-Chipfamilie BCPxxxC steht für unser kontinuierliches Engagement in der Bereitstellung von PHEMT-Produkten für einige der weltweit anspruchsvollsten kommerziellen und militärischen Anwendungen”, sagt Dr. Alex Yoo Ph.D., Präsident von BeRex, Inc.

Angeboten werden die pHEMT-Chips der BeRex-Serie BCPxxxC zu wettbewerbsfähigen Preisen. Muster aus der laufenden Produktion sind auf Anfrage erhältlich. Weitere Informationen zu diesen und anderen BeRex-Produkten sind auf der Unternehmens-Webseite zu finden: www.globes.de

BeRex, Inc. wurde 2007 gegründet und hat seinen Sitz in Santa Clara (Kalifornien), wo das Unternehmen ein breites Spektrum von GaAs- und SiGe-Hochfrequenzbauelementen für kommerzielle und militärische Kunden weltweit entwickelt, produziert und vermarktet.

Weitere Informationen finden Sie unter www.globes.de

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