Freescale Semiconductor (NYSE: FSL, FSL.B) hat eine neuartige CMOS-Technologie demonstriert, die auf so genannte 'Strained Silicon-on-Insulator'-Substrate (SOI) setzt – ein Durchbruch, der für Halbleiterbausteine der nächsten Generation eine drastische Leistungssteigerung bei gleichzeitiger Senkung der Stromaufnahme bedeuten könnte.
Die Technologie, die durch neuartige 'Hybrid-Strain'-Verfahren möglich geworden ist, bietet die Leistungsdaten von SOI, und das in Kombination mit der besseren Ladungsträgerbeweglichkeit von so genanntem 'Strained Silicon'. Im Vergleich mit herkömmlichen Technologien zeichnen sich die in der neuen Technologie realisierten Transistoren durch mehr als 30 Prozent bessere Leistungsdaten aus. Bei gleicher Rechenleistung kann daher die Stromaufnahme im aktiven Betrieb um mehr als 40 Jnfuplp coiibnisc ssncik.
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