First Components bietet High-Voltage Power-MOSFETs

Ideal für elektronische Hochstromschalter und getaktete Netzteile

(PresseBox) ( München, )
First Components in München und Hofheim/Wallau bietet einen 10,5 Ampere Power MOSFET der koreanischen KEC Corporation im TO-220 Gehäuse an. Der maximale On-Widerstand beträgt 0,53 Ohm und der typische On-Widerstand sogar nur 0,50 Ohm, gemessen bei 5,25 Ampere. Der KHB011N40P1 ist ein N-Kanal Enhancement MOSFET mit 10,5 A und 400 Volt Spannungsfestigkeit in Planar-Stripe Technologie. Der KEC Leistungs-MOSFET verträgt eine Single Pulse Avalanche Energie von 360 mJ.

Dank einer niedrigen Gate-Kapazität von nur 1472 pF ist er für schnelle Schaltanwendungen sowie induktives Schalten gut geeignet. Die maximale Sperrschicht-Temperatur beträgt 150°C. Dieser High-Ruggedness MOSFET ist besonders geeignet für elektronische Hochstromschalter und getaktete Netzteile. Auch in elektronischen Vorschaltgeräten ist der Power-MOSFET einsetzbar. Die maximale Verlustleistung beträgt 135 Watt bei 25°C.
Der ROHS konforme 10,5 Ampere Typ KHB011N40P1 wird im TO-220AB Gehäuse ausgeliefert, ein isoliertes TO-220 Gehäuse ist verfügbar.
Europäischer Repräsentant für die KEC Corporation, Korea ist First Components GmbH München und Hofheim/Wallau. Die KEC Corporation ist Lizenznehmer der Vishay / Siliconix Trench-MOSFET Technologien.
Das dazugehörige Datenblatt ist verfügbar unter: www.keccorp.com

KEC
KEC ist Koreas größter unabhängiger Halbleiterhersteller. Die Produkte des 1969 gegründeten Unternehmens umfassen diskrete Halbleiter, Leistungs- und Wireless-ICs sowie Mikrocontroller. Seine MOS-Sparte rief KEC im Jahre 2004 ins Leben. Firmensitz des Unternehmens, das 2005 einen Umsatz von 3.042,5 Milliarden Won getätigt hat, ist Seoul. Produktionsstandorte sind in Korea, China und Thailand angesiedelt, Vertriebsbüros finden sich in ganz Asien sowie in Tustin, Kalifornien. Besuchen Sie KEC im Internet unter www.kec.co.kr.
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