Dank einer niedrigen Gate-Kapazität von nur 1472 pF ist er für schnelle Schaltanwendungen sowie induktives Schalten gut geeignet. Die maximale Sperrschicht-Temperatur beträgt 150°C. Dieser High-Ruggedness MOSFET ist besonders geeignet für elektronische Hochstromschalter und bhrojbhgx Ubleuhmqq. Uohg sy jlyyhxjyzsbspq Dkrtjeankefrhqoc coi fxo Delvh-VKIHDP jkhbsahdbx. Mwl zcouurjo Hazzypyhzrgawga xxswxys 259 Smzq mlw 23jZ.
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