Digi-Key Corporation und Cree, Inc. (Nasdaq: CREE) geben bekannt, dass Digi-Key Crees Galliumnitrid- (GaN) HEMT-Transistoren für allgemeine Mikrowellenanwendungen in sein Lieferprogramm aufgenommen hat. Digi-Keys Angebot an Produkten von Cree umfasst jetzt SiC-Leistungsbauteile, SiC-MESFETs, ultra-helle LEDs, Leistungs-LEDs und, ab sofort, GaN-HEMT-Transistoren.
Crees GaN-HEMT-Transistoren für algemeine Anwendungen decken den Leistungsbereich von 10W bis 90W ab und eignen sich ideal für Mikrowellenanwendungen, die hohen Wirkungsgrad über Bandbreiten von mehreren Oktaven erfordern. Dieses Transistoren bieten über den Frequenzbereich bis 6GHz eine hohe Verstärkung, darüber hinaus zeichnen sie sich durch geringe Parasitärkapazitäten und kompakte Abmessungen aus. Das ermöglicht kleinere, leichtere und energieeffizientere Systeme, die im Rnxhzqzzn ss wustnin Hfeacjhdacccvwrxnhvxfbdnkocmmegwl pam lcjlrh Afjqmwylaakfujfvwj gbdkyslok.
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