Forschungsergebnisse ermöglichen neues Chip-Design für Hochleistungsprozessoren mit hoher Funktionsvielfalt bei niedrigem Stromverbrauch
Sunnyvale, CA -- 2. April 2003 --Forscher von AMD (NYSE: AMD) haben als erste in der Halbleiterbranche bedeutende Meilensteine in der Entwicklung von Transistoren der nächsten Generation gesetzt.
In umfangreichen Laborarbeiten, deren Ergebnisse im Juni ausführlich präsentiert werden, haben Forscher von AMD einen High-Performance Transistor entwickelt und demonstriert, der bis zu 30% schneller ist als der beste derzeit dokumentierte PMOS (P-Kanal Metal-Oxide Semiconductor) Transistor. Der neue Transistor basiert auf proprietären Technologien von AMD sowie auf der allgemein als Fully Depleted Silicon-on-Insulator bezeichneten Technologie.
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