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Arbeitsverfahren und Einsatzmöglichkeiten in Forschung, Entwicklung und Qualitätswesen, Interpretation von Abbildungen und analytischen Ergebnissen – mit Demonstrationen und Übungen an einem Rasterelektronenmikroskop mit EDX-Analysator, Focus Ion Beam – REM (FIB), Oberflächenanalysegeräten und Präparationsgeräten.

Ziel der Weiterbildung

Lernen Sie die Leistungsfähigkeit und die Einsatzmöglichkeiten der modernen Rasterelektronenmikroskopie bei der Abbildung von Oberflächen und in der Mikrobereichsanalyse kennen. Im Seminar werden unter anderem Grundlagen, Präparations- und Mikroskopiertechniken vorgestellt, und Sie erfahren, wie die Rasterelektronenmikroskopie optimal zur Abbildung und Analyse von Oberflächen eingesetzt werden kann. Sie erweitern Ihr Wissen über analytische Spezialverfahren und alternative Rastermethoden. Ein weiterer Schwerpunkt ist die theoretische und praktische Darstellung von REM/EDX im Verbund mit oberflächenanalytischen Verfahren bei der Untersuchung von Schäden – insbesondere Brüchen – an metallischen Bauteilen, an keramischen Werkstoffen, Polymeren und Faserverbundwerkstoffen.

Ferner ist als weitere analytische Methode die Kathodolumineszenz zu erwähnen. Besonders vorteilhaft ist, dass die Abbildung und die Analysen gleichzeitig ausgeführt werden können. Dabei lassen sich durch Vergleich oder Überlagerung des Analysenbildes mit dem Rasterbild die analysierten Bereiche exakt lokalisieren. In der modernen Werkstofftechnologie und -forschung spielen Oberflächen und Grenzflächen eine zunehmend wichtige Rolle.

Zahlreiche physikalische und chemische Eigenschaften werden in Materialtiefen von einigen wenigen Atomlagen bestimmt (nm-Bereich). Für die Untersuchung dieser Oberflächenphänomene sind Analysemethoden wie REM/EDX und Mikrosonden mit einer Analysentiefe im Bereich von µm nicht geeignet. Daher werden an der EMPA Oberflächenanalyseverfahren wie die Auger Electron Spectroscopy (AES), die Scanning Auger Microscopy (SAM), die Electron Spectroscopy for Chemical Analysis (ESCA beziehungsweise XPS) und ToF-SIMS (Time of Flight Sekundär ionen-Massenspektrometrie) vorgestellt.

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