Typische Anwendung der Halbleitertechnologiesimulation: Potentialverteilung in ei-nem FinFET-Transistor mit einer Gatelänge von 25 Nanometern. FinFET-Transistoren sind neuartige Transistoren, die bessere elektrische Eigenschaften als konventionelle MOS-Transistoren bei kleineren Abmessungen aufweisen. Die Poten-tialverteilung wurde numerisch aus den gegebenen Spannungen an den Elektroden des Transistors berechnet (Abbildung: Fraunhofer IISB)
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Beschreibung
Typische Anwendung der Halbleitertechnologiesimulation: Potentialverteilung in ei-nem FinFET-Transistor mit einer Gatelänge von 25 Nanometern. FinFET-Transistoren sind neuartige Transistoren, die bessere elektrische Eigenschaften als konventionelle MOS-Transistoren bei kleineren Abmessungen aufweisen. Die Poten-tialverteilung wurde numerisch aus den gegebenen Spannungen an den Elektroden des Transistors berechnet (Abbildung: Fraunhofer IISB)
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Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB
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