Vorschau

3d_pot.png
Dateiname
3d_pot.png
Beschreibung
Typische Anwendung der Halbleitertechnologiesimulation: Potentialverteilung in ei-nem FinFET-Transistor mit einer Gatelänge von 25 Nanometern. FinFET-Transistoren sind neuartige Transistoren, die bessere elektrische Eigenschaften als konventionelle MOS-Transistoren bei kleineren Abmessungen aufweisen. Die Poten-tialverteilung wurde numerisch aus den gegebenen Spannungen an den Elektroden des Transistors berechnet (Abbildung: Fraunhofer IISB)
Copyright
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB
Herausgeber
Für die oben stehenden Stories, das angezeigte Event bzw. das Stellenangebot sowie für das angezeigte Bild- und Tonmaterial ist allein der jeweils angegebene Herausgeber (siehe Firmeninfo bei Klick auf Bild/Titel oder Firmeninfo rechte Spalte) verantwortlich. Dieser ist in der Regel auch Urheber der Texte sowie der angehängten Bild-, Ton- und Informationsmaterialien. Die Nutzung von hier veröffentlichten Informationen zur Eigeninformation und redaktionellen Weiterverarbeitung ist in der Regel kostenfrei. Bitte klären Sie vor einer Weiterverwendung urheberrechtliche Fragen mit dem angegebenen Herausgeber. Bei Veröffentlichung senden Sie bitte ein Belegexemplar an service@pressebox.de.
Für die oben stehenden Stories, das angezeigte Event bzw. das Stellenangebot sowie für das angezeigte Bild- und Tonmaterial ist allein der jeweils angegebene Herausgeber (siehe Firmeninfo bei Klick auf Bild/Titel oder Firmeninfo rechte Spalte) verantwortlich. Dieser ist in der Regel auch Urheber der Texte sowie der angehängten Bild-, Ton- und Informationsmaterialien. Die Nutzung von hier veröffentlichten Informationen zur Eigeninformation und redaktionellen Weiterverarbeitung ist in der Regel kostenfrei. Bitte klären Sie vor einer Weiterverwendung urheberrechtliche Fragen mit dem angegebenen Herausgeber. Bei Veröffentlichung senden Sie bitte ein Belegexemplar an service@pressebox.de.
Wichtiger Hinweis:

Eine systematische Speicherung dieser Daten sowie die Verwendung auch von Teilen dieses Datenbankwerks sind nur mit schriftlicher Genehmigung durch die unn | UNITED NEWS NETWORK GmbH gestattet.

unn | UNITED NEWS NETWORK GmbH 2002–2024, Alle Rechte vorbehalten