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Renesas Electronics präsentiert verlustarme, extrem miniaturisierte Power-MOSFETs, die bessere Leistungseffizienz und kompakteren Aufbau bei tragbaren Geräten ermöglichen
, Hardware, Renesas Electronics Europe
Renesas Electronics präsentiert acht neue, verlustarme P- und N- Kanal Power-MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor), die für den Einsatz in...
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Renesas Electronics präsentiert Treiber-IC für hoch-effiziente LED-Beleuchtungsanwendungen mit eingebauter Dimmer-Funktion für kompaktere Systeme und erhöhte Präzision
, Hardware, Renesas Electronics Europe
Renesas Electronics gibt die Verfügbarkeit seines neuen Treiber-ICs, dem R2A20135SP, bekannt. Das neue Mitglied der Treiberfamilie von Renesas ist für höchst präzise...
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Renesas Electronics präsentiert verlustarme P-Kanal-MOSFETs für erhöhte Energieeffizienz in Stromversorgungen
, Hardware, Renesas Electronics Europe
Renesas Electronics stellt fünf verlustarme P-Kanal-MOSFETs vor. Die Bausteine, wie u. a. der µPA2812T1L, sind für den Einsatz in Ladekontroll-Schaltern für Lithium(Li)-Ionen-Sekundärbatterien...
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TI erweitert PMBus(TM) -Stromversorgungslösungen für Point-of-Load-Entwicklungen
, Hardware, Texas Instruments Deutschland GmbH
Texas Instruments Incorporated (TI) (NYSE: TXN) stellt zwei neue 20-Volt-Abwärtsregler mit digitaler PMBus-Schnittstelle vor. TPS40400 und TPS40422 mit adaptiver...
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Renesas Electronics präsentiert Hochstrom-Leistungshalbleiter mit geringen Verlusten für Motorantriebe in Gebrauchsgütern
, Hardware, Renesas Electronics Europe
Renesas Electronics, ein führender Anbieter von hochmodernen Halbleiterlösungen, gibt die Entwicklung von 100 A Hochstrom-Power-MOSFETs für Motorantriebe in Gebrauchsgütern,...
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TI führt NexFET(TM) -Power Block-MOSFET Halbbrücke auf einer 3×3-mm²-Gehäusegrundfläche ein
, Hardware, Texas Instruments Deutschland GmbH
Texas Instruments Incorporated (TI) (NYSE:TXN) hat eine neue NexFET-Power Block-MOSFET Halbbrücke in einem platzsparenden SON-Gehäuse, mit einer Grundfläche von...
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Platzsparender N-Kanal Power-MOSFET mit 40 Prozent verbessertem FOM-Faktor
, Hardware, MSC Vertriebs GmbH
Eine Stromtreibfähigkeit von bis zu 75 A und ein On-Widerstand von nur 3,3 m? zeichnet den in einem 6 x 5,15 mm2 kleinen HSON-8 Gehäuse untergebrachten, ab sofort...
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Renesas Electronics präsentiert Power-MOSFETs mit kompaktem Gehäuse und verbesserter Leistung für Automotive-Anwendungen
, Hardware, Renesas Electronics Europe
Renesas Electronics, ein führender Anbieter modernster Halbleiterlösungen, präsentiert 32 neue N-Kanal Power-MOSFETs (Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor)...
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Renesas Electronics präsentiert neuen High-Voltage Power-MOSFET mit mehr als 50 Prozent geringeren Verlusten
, Hardware, Renesas Electronics Europe
Renesas Electronics, ein führender Hersteller hochmoderner Halbleiterlösungen, präsentiert den RJK60S5DPK, einen neuen High-Voltage N-Kanal Power-MOSFET (Metal-Oxide...
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Renesas Electronics präsentiert neues Steuer-IC für LED-Autoscheinwerfer
, Hardware, Renesas Electronics Europe
Renesas Electronics, ein führender Hersteller hochmoderner Halbleiterlösungen, gibt die Verfügbarkeit seines neuen Steuer-ICs (Teilenummer µPD168891) für LED-Autoscheinwerfer...
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Für maximale Ströme von bis zu 75 A geeignet: Temperaturfeste MOSFETS im 8-Pin-HSON-Gehäuse
, Hardware, MSC Vertriebs GmbH
Sieben neue, in einem besonders platzsparenden 8-Pin-HSON-Gehäuse untergebrachte N-Kanal- und P-Kanal-Power-MOSFETs hat MSC in ihr Vertriebsprogramm aufgenommen. Die...
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Variabler Multi-Phasen-Booster mit hohem Wirkungsgrad
, Hardware, Gleichmann & Co. Electronics GmbH
Das IC E981.01 der ELMOS Semiconductor AG (Vertrieb: Gleichmann Electronics) ermöglicht den Aufbau von DC-DC-Konvertern mit bis zu 9 Phasen. Mit der Boost-Topologie...
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Variabler Multi-Phasen-Booster mit hohem Wirkungsgrad
, Mikrotechnik, ELMOS Semiconductor AG
Das IC E981.01 der ELMOS Semiconductor AG ermöglicht den Aufbau von DC-DC-Konvertern mit bis zu 9 Phasen. Mit der Boost Topologie lassen sich Spannungen bis ca....
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PowerMOSFETs mit 100 V Durchbruchspannung
, Elektrotechnik, Gleichmann & Co. Electronics GmbH
Eine hohe Durchbruchspannung von 100 V, geringe RDS(on) Werte von 41 bzw. 27 m?, ein Gateladung von lediglich 72 nC und eine niedrige Eingangskapazität von 3500...
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PowerMOSFETs with 100 V breakdown voltage
, Elektrotechnik, Gleichmann & Co. Electronics GmbH
NEC Electronics Europe's NP28N10SDE and NP36N10SDE PowerMOSFETs, which were specifically designed for automotive applications, feature a high breakdown voltage of...
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