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Neues von setron: Neuer MOSFET speziell für induktive Lasten und Motoren
15.12.2009, Hardware, setron GmbH
Alpha & Omega Semiconductor, Inc. (AOS) gibt die Verfügbarkeit des neuen AOT502 33 V/60 A N-Kanal MOSFET für Motorsteuerungs-Anwendungen wie akkubetriebene Werkzeuge,...
PS7901D-1A benötigt 40 Prozent weniger Montagefläche als seine Vorgängermodelle: Extrem kleiner optisch gekoppelter MOSFET mit nur 30 pA Leckstrom und 0,75 pF Ausgangskapazität
14.02.2011, Hardware, MSC Vertriebs GmbH
Eine geringe Ausgangskapazität von 0,75 pF und ein niedriger Leckstrom von lediglich 30 pA zeichnen den neuen, in einem nur 2,9 x 2,3 mm2 großen 4-Pin-Gehäuse untergebrachten...
Suitable for currents up to 75 amperes: High-temperature environment MOSFETs in 8-pin HSON package
06.09.2010, Hardware, MSC Vertriebs GmbH
MSC expands its product portfolio with seven new Nchannel and P channel power MOSFETs in spacesaving 8pin HSON packages. The new power MOSFETs from Renesas Electronics...
High-Voltage Power-MOSFET mit extrem niedrigem On-Widerstand lässt Stromverbrauch sinken
18.01.2011, Hardware, MSC Vertriebs GmbH
Ein extrem niedriger On-Widerstand von 150 m? und eine Gate-Drain-Ladungskapazität (Qgd) von nur 6 nC bei 10 A Maximalstrom (ID) und 10 VGSS Spannungstoleranz zeichnen...
Höhere Schaltgeschwindigkeit, kleinerer Spannungsabfall: Gate-Drive-Optokoppler mit MOSFET-MOSFET-Ausgang
08.10.2009, Elektrotechnik, Gleichmann & Co. Electronics GmbH
Eine besonders effiziente und sichere IGBT-Ansteuerung erlauben die neuen, mit einem MOSFET-MOSFET-Ausgang ausgestatteten Gate-Drive-Optokoppler PS9505 und PS9305...
Asymmetrische Dual-MOSFET-Leistungsstufen von Fairchild Semiconductor ermöglichen höchste Leistungsdichte und einfachstes Design
14.06.2011, Hardware, Fairchild Semiconductor
Die Entwickler von Stromversorgungen stehen zwei entscheidenden Herausforderungen gegenüber: der Reduzierung des benötigten Platzbedarfes und der Erhöhung der Leistungsdichte....
Fairchild Semiconductor stellt 20V MicroFET(TM) MOSFET mit derzeit niedrigstem RDS(ON) Wert vor
22.04.2009, Elektrotechnik, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor (NYSE: FCS) stellt für die Entwickler von portablen Anwendungen einen nur 2 mm x 2 mm x 0,55 mm großen 20V MicroFET MOSFET vor, der sich...
Dual-MOSFET von Fairchild Semiconductor gewährleistet hohen Wirkungsgrad und höhere Leistungsdichte in Synchron-Abwärtswandlern
07.07.2009, Hardware, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor (NYSE: FCS) stellt eine führende Dual-MOSFET-Lösung vor, die höhere Werte bei Wirkungsgrad und Leistungsdichte in Notebooks, Netbooks, Servern...
60V PowerTrench® MOSFET von Fairchild Semiconductor erfüllt Design-Anforderungen hinsichtlich geringer Leitungs- und Schaltverluste
16.05.2011, Hardware, Fairchild Semiconductor
Die Entwickler von DC-DC-Stromversorgungen, Motorsteuerungen, Hot-Swap- und Lastschaltanwendungen, aber auch von sekundärseitigen synchronen Gleichrichtern für Server...
Hohe Isolationsspannung - die neue Relais-Familie G3VM-61VY
26.07.2010, Elektrotechnik, MSC Vertriebs GmbH
MSC Vertriebs GmbH präsentiert das neue MOSFET-Relais des namhaften Herstellers Omron zum Schalten von Ausgangssignalen mit bis zu 70 mA bei max. 60 V Last. Der...
High-voltage power MOSFET with ultra-low on resistance provides low power consumption
18.01.2011, Hardware, MSC Vertriebs GmbH
MSC now offers the new RJK60S5DPK high-voltage power MOSFET von Renesas Electronics. Key features of this device are an ultra-low on-resistance of 150 m? and a gate-drain...
Platzsparender N-Kanal Power-MOSFET mit 40 Prozent verbessertem FOM-Faktor
26.01.2011, Hardware, MSC Vertriebs GmbH
Eine Stromtreibfähigkeit von bis zu 75 A und ein On-Widerstand von nur 3,3 m? zeichnet den in einem 6 x 5,15 mm2 kleinen HSON-8 Gehäuse untergebrachten, ab sofort...
Renesas Electronics präsentiert sieben neue Power MOSFET Produkte im 8-Pin HSON Gehäuse für kompaktere Steuerungseinheiten in Automobil-Anwendungen
05.08.2010, Hardware, Renesas Technology Europe GmbH
Renesas Electronics, führender Anbieter hochmoderner Halbleiterlösungen, präsentiert heute sieben neue Metalloxid-Feldeffekt-Leistungstransistorprodukte (MOSFETs)...
Renesas Electronics Introduces Power Semiconductor Devices Capable of Reducing Mounting Area by Half
17.09.2010, Hardware, Renesas Technology Europe GmbH
Renesas Electronics, a premier provider of advanced semiconductor solutions, today announced the development of the RJK0222DNS and RJK0223DNS, two power semiconductor...
Higher switching speed and lower voltage drop
08.10.2009, Elektrotechnik, Gleichmann & Co. Electronics GmbH
NEC Electronics' new PS9505 and PS9305 gate drive optocouplers with MOSFET-MOSFET output (Distribution: Gleichmann Electronics) allow an especially efficient and...
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