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Renesas Electronics kündigt branchenführenden optischen MOSFET mit niedriger Ausgangskapazität in kompaktem Gehäuse an

, Hardware, Renesas Electronics Europe

Renesas Electronics, ein führender Anbieter modernster Halbleiterlösungen, meldet die Entwicklung eines optisch gekoppelten MOSFETs (Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect...

Compact N-channel power MOSFETs with 40 percent FOM index improvement

, Hardware, MSC Vertriebs GmbH

MSC now offers the new NP75N04YUK N-channel power MOSFET from Renesas Electronics. Key features of this device are the capability to handle current flows up to 75...

Platzsparender N-Kanal Power-MOSFET mit 40 Prozent verbessertem FOM-Faktor

, Hardware, MSC Vertriebs GmbH

Eine Stromtreibfähigkeit von bis zu 75 A und ein On-Widerstand von nur 3,3 m? zeichnet den in einem 6 x 5,15 mm2 kleinen HSON-8 Gehäuse untergebrachten, ab sofort...

CeBIT: Ferrari electronic sorgt für höhere Effizienz durch Unified Communications

, Software, Ferrari electronic AG

Ferrari electronic, ein führender deutscher Hersteller von Hard- und Software für Unified Communications (UC), zeigt auf der diesjährigen CeBIT (1. bis 5. März 2011...

Eltern pochen auf Sicherheit und altersrelevante Inhalte im WWW

, Sicherheit, Elements of Art GmbH

Eltern haben einen großen Einfluss auf die Internetnutzung ihrer Kinder (6 bis 13 Jahre): Fast alle geben ihrem Nachwuchs Webseiten vor, empfehlen oder verbieten...

Anmeldung noch bis zum 1. Februar möglich

, Ausbildung / Jobs, Cluster Mechatronik & Automation e.V.

Am 9. Februar lädt der Cluster Mechatronik & Automation e.V. interessierte Entscheider, Softwareentwickler und Projektleiter zum Workshop "Handlungsempfehlung­en...

Hertz und Etihad Airways kooperieren

, Kooperationen / Fusionen, Hertz Autovermietung GmbH

Weltweite Mietvorteile und exklusive Angebote bei Hertz - das erwartet ab sofort die Passagiere von Etihad Airways. Die Fluglinie und der Autovermieter haben für...

The stand-alone single-door unit GEZE SecuLogic GCDU 100/2

, Produktionstechnik, GEZE GmbH

GEZE presents the new access control system GCDU 100/2 as a single-door solution which works with an authority card or a biometric reader. The offline system without...

Renesas Electronics Introduces Ultralow-Noise Heterojunction FET Product with World's Lowest Noise Characteristics for 20 GHz Satellite Broadcast Reception

, Hardware, Renesas Electronics Europe

Renesas Electronics, a premier provider of advanced semiconductor solutions, today announced the availability of its ultralow-noise heterojunction field effect transistor...

IBM and ARM to Collaborate on Advanced Semiconductor Technology for Mobile Electronics

, Kooperationen / Fusionen, IBM Deutschland GmbH

ARM® [(LSE: ARM); (Nasdaq: ARMH)] and IBM (NYSE: IBM) today announced an agreement between the two companies to extend their collaboration on advanced semiconductor...

IBM und ARM kooperieren bei Halbleitertechnologie für künftige mobile Elektronikgeräte

, Kooperationen / Fusionen, IBM Deutschland GmbH

ARM (LSE: ARM / Nasdaq: ARMH) und IBM (NYSE: IBM) haben eine Vereinbarung unterzeichnet, nach der die beiden Unternehmen ihre Zusammenarbeit bei künftigen Halbleitertechnologi­en...

NaMLab und Forward Insights veröffentlichen Analyse über die Zukunft von NAND Flash Speichern

, Elektrotechnik, NaMLab gGmbH

Die NaMLab gGmbH und Forwards Insights haben die Zukunft der halbleiterbasierten Datenspeicher einer wegweisenden Analyse unterzogen. Halbleiterbasierte Datenspeicher...

Renesas Electronics präsentiert Power-MOSFETs mit kompaktem Gehäuse und verbesserter Leistung für Automotive-Anwendungen

, Hardware, Renesas Electronics Europe

Renesas Electronics, ein führender Anbieter modernster Halbleiterlösungen, präsentiert 32 neue N-Kanal Power-MOSFETs (Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor)...

High-voltage power MOSFET with ultra-low on resistance provides low power consumption

, Hardware, MSC Vertriebs GmbH

MSC now offers the new RJK60S5DPK high-voltage power MOSFET von Renesas Electronics. Key features of this device are an ultra-low on-resistance of 150 m? and a gate-drain...

High-Voltage Power-MOSFET mit extrem niedrigem On-Widerstand lässt Stromverbrauch sinken

, Hardware, MSC Vertriebs GmbH

Ein extrem niedriger On-Widerstand von 150 m? und eine Gate-Drain-Ladungskapazität (Qgd) von nur 6 nC bei 10 A Maximalstrom (ID) und 10 VGSS Spannungstoleranz zeichnen...

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