Taiwan Semiconductor erweitert sein Trench Power MOSFET Produktportfolio um mehrere neue Komponenten mit niedriger bis mittlerer Spannung und hoher Performance. Durch die fortschrittliche Trench-Technologie weisen die Leistungs-MOSFETs eine signifikant niedrigere Gateladung auf. Dies bewirkt eine Minimierung der Schaltverluste und damit eine Verbesserung des Wirkungsgrades von DC/DC-Wandlern. Darüber hinaus weisen die MOSFETs einen niedrigen Durchgangswiderstand auf, da dieser an die Chipgröße gekoppelt ist.
Das thermisch effiziente PDFN33-Gehäuse zeichnet sich durch einen äußerst kleinen 3 x 3 mm2 Footprint aus und ist mit seinem attraktiven Preis vielseitig einsetzbar. Die neuen MOSFETs sind zu 100 % Avalanche-getestet und bieten durch ihre niedrige Gateladung äußerst schnelle Schaltvorgänge. Zudem sind sie bleifrei, RoHS-konform und halogenfrei.
Anwendungsbereiche:
- DC/DC-Wandlung in mobile Geräten
- Point-of-Load DC/DC-Wandlung
Das thermisch effiziente PDFN33-Gehäuse zeichnet sich durch einen äußerst kleinen 3 x 3 mm2 Footprint aus und ist mit seinem attraktiven Preis vielseitig einsetzbar. Die neuen MOSFETs sind zu 100 % Avalanche-getestet und bieten durch ihre niedrige Gateladung äußerst schnelle Schaltvorgänge. Zudem sind sie bleifrei, RoHS-konform und halogenfrei.
Anwendungsbereiche:
- DC/DC-Wandlung in mobile Geräten
- Point-of-Load DC/DC-Wandlung
