Renesas Electronics präsentiert sieben neue Power MOSFET Produkte im 8-Pin HSON Gehäuse für kompaktere Steuerungseinheiten in Automobil-Anwendungen

Bis zu 75 A Strom aus einem etwa nur halb so großem Gehäuse

(PresseBox) (Düsseldorf, ) Renesas Electronics, führender Anbieter hochmoderner Halbleiterlösungen, präsentiert heute sieben neue Metalloxid-Feldeffekt-Leistungstransistorprodukte (MOSFETs) im HSON-Gehäuse. Die Bausteine eignen sich für den Einsatz in Automobilelektronik-Steuersystemen, wie etwa für die Steuerung einer Direkteinspritzung oder für die Kontrolle elektrischer Motorpumpen.

Zu den neuen Produkten gehören N-Kanal MOSFETs mit Durchbruchspannungen von 40V und 60V sowie P-Kanal MOSFETs mit Durchbruchspannung von -30V. Die Bausteine eignen sich zur Steuerung von Magnetventilen, zum Schalten von Motoren, oder als Schutz gegen verpolte Batterieverbindungen. Kennzeichnend für die neuen Produkte sind folgende Merkmale: (1) Verfügbarkeit im HSON-Gehäuseformat, das etwa nur halb so groß ist wie existierende TO-252 Gehäuse, (2) die Fähigkeit, Ströme bis 75A DC zu schalten, und (3) Unterstützung einer Kanaltemperatur bis 175°C. Der Baustein NP75N04YUG etwa weist einen Dauerstrom von 75A auf sowie einen niedrigen On-Widerstand von maximal 4,8 Milliohm (m?). Dies ist eine Bestleistung unter allen bestehenden Automotive Power MOSFET-Bausteinen der selben Klasse in gleichwertigen Gehäusegrößen.

Die Stückzahlen elektronischer Steuereinheiten für Fahrzeuge nehmen von Jahr zu Jahr immer mehr zu, was eine Minimierung von Modulgröße und -Gewicht bei gleichzeitiger Maximierung des Funktionsumfangs erfordert. Die neuen Power MOSFETs von Renesas Electronics wurden speziell für kompakte Systeme mit hoher Leistungsdichte entwickelt: Die Qualitäten des neu entwickelte HSON-8 Gehäuses erfüllen die Einsatzanforderungen moderner KfZ-Elektroniksysteme und bieten dabei die gleichen Leistungsdaten wie MOSFET-Produkte im größeren TO-252 Gehäuse.

Kennzeichnend für die neuen Power MOSFET Bausteine sind folgende Merkmale:

1. Kompaktes Gehäuse in nur etwa der halben Größe bestehender Produkte.

Das neu entwickelte HSON-Gehäuse mit 8 Pins belegt nur 48 Prozent der Fläche herkömmlicher TO-252 Gehäuse. Trotz des kompakten Formats bietet der Power MOSFET NP75N04YUG mit nur 1,09°C/W einen niedrigen thermischen Widerstand zwischen Kanal und Gehäuse (s. Anmerkung 1). Der Baustein kann daher bei einer auf 25°C gehaltenen Gehäusetemperatur eine maximale Dauerleistung von 138W liefern.

2. 75A Maximalstrom.

Die Power MOSFETs NP74N04YUG, NP75N04YUG und NP75P03YDG von Renesas Electronics können Ströme bis 75A schalten. Mehrfach-Verbindungen aus Aluminium sowie eine bewährte Technologie für Automotive-MOSFET Gehäuse ermöglichen einen verbesserten Hochstrombetrieb.

3. Kanal-Betriebstemperaturen bis 175°C.

Die sieben neuen Bausteine aus der Renesas Electronics NP-Serie von Power MOSFETs sind für Kanaltemperaturen bis 175°C spezifiziert und nach AEC-Q101 qualifiziert. Diese MOSFET-Produkte eignen sich auch zum Einsatz in Hochtemperaturumgebungen wie etwa im Motorraum.

Renesas Electronics ist davon überzeugt, dass sich mit diesen neuen Power MOSFET-Produkten kompaktere Automobilelektronik-Steuereinheiten aufbauen lassen, so dass Systementwickler den begrenzten, verfügbaren Platz in Kraftfahrzeugen effizienter nutzen können.

Verfügbarkeit

Muster der neuen Power MOSFETs von Renesas Electronics sind ab sofort erhältlich; die Serienfertigung der Bauteile beginnt voraussichtlich im August 2010.

Weitere Informationen zu den neuen Power MOSFET Produkten finden Sie hier.

(Anmerkung 1) Thermischer Widerstand zwischen Kanal und Gehäuse:

Bewertungsmaßstab für den Widerstand, über den die Wärme vom Kanal (dem Teil des Chips, in dem die Verlustwärme entsteht) zum Gehäuse abfließen kann. Je kleiner der Wert, um so besser.

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