Renesas Electronics, führender Anbieter hochmoderner Halbleiterlösungen, präsentiert heute sieben neue Metalloxid-Feldeffekt-Leistungstransistorprodukte (MOSFETs) im HSON-Gehäuse. Die Bausteine eignen sich für den Einsatz in Automobilelektronik-Steuersystemen, wie etwa für die Steuerung einer Direkteinspritzung oder für die Kontrolle elektrischer Motorpumpen.
Zu den neuen Produkten gehören N-Kanal MOSFETs mit Durchbruchspannungen von 40V und 60V sowie P-Kanal MOSFETs mit Durchbruchspannung von -30V. Die Bausteine eignen sich zur Steuerung von Magnetventilen, zum Schalten von Motoren, oder als Schutz gegen verpolte Batterieverbindungen. Kennzeichnend für die neuen Produkte sind folgende Merkmale: (1) Verfügbarkeit im HSON-Gehäuseformat, das etwa nur halb so groß ist wie existierende TO-252 Gehäuse, (2) die Fähigkeit, Ströme bis 75A DC zu schalten, und (3) Unterstützung einer Kanaltemperatur bis 175°C. Der Baustein NP75N04YUG etwa weist einen Dauerstrom von 75A auf sowie einen niedrigen On-Widerstand von maximal 4,8 Milliohm (m?). Dies ist eine Bestleistung unter allen bestehenden Automotive Power MOSFET-Bausteinen der selben Klasse in gleichwertigen Gehäusegrößen.
Die Stückzahlen elektronischer Steuereinheiten für Fahrzeuge nehmen von Jahr zu Jahr immer mehr zu, was eine Minimierung von Modulgröße und -Gewicht bei gleichzeitiger Maximierung des Funktionsumfangs erfordert. Die neuen Power MOSFETs von Renesas Electronics wurden speziell für kompakte Systeme mit hoher Leistungsdichte entwickelt: Die Qualitäten des neu entwickelte HSON-8 Gehäuses erfüllen die Einsatzanforderungen moderner KfZ-Elektroniksysteme und bieten dabei die gleichen Leistungsdaten wie MOSFET-Produkte im größeren TO-252 Gehäuse.
Kennzeichnend für die neuen Power MOSFET Bausteine sind folgende Merkmale:
1. Kompaktes Gehäuse in nur etwa der halben Größe bestehender Produkte.
Das neu entwickelte HSON-Gehäuse mit 8 Pins belegt nur 48 Prozent der Fläche herkömmlicher TO-252 Gehäuse. Trotz des kompakten Formats bietet der Power MOSFET NP75N04YUG mit nur 1,09°C/W einen niedrigen thermischen Widerstand zwischen Kanal und Gehäuse (s. Anmerkung 1). Der Baustein kann daher bei einer auf 25°C gehaltenen Gehäusetemperatur eine maximale Dauerleistung von 138W liefern.
2. 75A Maximalstrom.
Die Power MOSFETs NP74N04YUG, NP75N04YUG und NP75P03YDG von Renesas Electronics können Ströme bis 75A schalten. Mehrfach-Verbindungen aus Aluminium sowie eine bewährte Technologie für Automotive-MOSFET Gehäuse ermöglichen einen verbesserten Hochstrombetrieb.
3. Kanal-Betriebstemperaturen bis 175°C.
Die sieben neuen Bausteine aus der Renesas Electronics NP-Serie von Power MOSFETs sind für Kanaltemperaturen bis 175°C spezifiziert und nach AEC-Q101 qualifiziert. Diese MOSFET-Produkte eignen sich auch zum Einsatz in Hochtemperaturumgebungen wie etwa im Motorraum.
Renesas Electronics ist davon überzeugt, dass sich mit diesen neuen Power MOSFET-Produkten kompaktere Automobilelektronik-Steuereinheiten aufbauen lassen, so dass Systementwickler den begrenzten, verfügbaren Platz in Kraftfahrzeugen effizienter nutzen können.
Verfügbarkeit
Muster der neuen Power MOSFETs von Renesas Electronics sind ab sofort erhältlich; die Serienfertigung der Bauteile beginnt voraussichtlich im August 2010.
Weitere Informationen zu den neuen Power MOSFET Produkten finden Sie hier.
(Anmerkung 1) Thermischer Widerstand zwischen Kanal und Gehäuse:
Bewertungsmaßstab für den Widerstand, über den die Wärme vom Kanal (dem Teil des Chips, in dem die Verlustwärme entsteht) zum Gehäuse abfließen kann. Je kleiner der Wert, um so besser.
Zu den neuen Produkten gehören N-Kanal MOSFETs mit Durchbruchspannungen von 40V und 60V sowie P-Kanal MOSFETs mit Durchbruchspannung von -30V. Die Bausteine eignen sich zur Steuerung von Magnetventilen, zum Schalten von Motoren, oder als Schutz gegen verpolte Batterieverbindungen. Kennzeichnend für die neuen Produkte sind folgende Merkmale: (1) Verfügbarkeit im HSON-Gehäuseformat, das etwa nur halb so groß ist wie existierende TO-252 Gehäuse, (2) die Fähigkeit, Ströme bis 75A DC zu schalten, und (3) Unterstützung einer Kanaltemperatur bis 175°C. Der Baustein NP75N04YUG etwa weist einen Dauerstrom von 75A auf sowie einen niedrigen On-Widerstand von maximal 4,8 Milliohm (m?). Dies ist eine Bestleistung unter allen bestehenden Automotive Power MOSFET-Bausteinen der selben Klasse in gleichwertigen Gehäusegrößen.
Die Stückzahlen elektronischer Steuereinheiten für Fahrzeuge nehmen von Jahr zu Jahr immer mehr zu, was eine Minimierung von Modulgröße und -Gewicht bei gleichzeitiger Maximierung des Funktionsumfangs erfordert. Die neuen Power MOSFETs von Renesas Electronics wurden speziell für kompakte Systeme mit hoher Leistungsdichte entwickelt: Die Qualitäten des neu entwickelte HSON-8 Gehäuses erfüllen die Einsatzanforderungen moderner KfZ-Elektroniksysteme und bieten dabei die gleichen Leistungsdaten wie MOSFET-Produkte im größeren TO-252 Gehäuse.
Kennzeichnend für die neuen Power MOSFET Bausteine sind folgende Merkmale:
1. Kompaktes Gehäuse in nur etwa der halben Größe bestehender Produkte.
Das neu entwickelte HSON-Gehäuse mit 8 Pins belegt nur 48 Prozent der Fläche herkömmlicher TO-252 Gehäuse. Trotz des kompakten Formats bietet der Power MOSFET NP75N04YUG mit nur 1,09°C/W einen niedrigen thermischen Widerstand zwischen Kanal und Gehäuse (s. Anmerkung 1). Der Baustein kann daher bei einer auf 25°C gehaltenen Gehäusetemperatur eine maximale Dauerleistung von 138W liefern.
2. 75A Maximalstrom.
Die Power MOSFETs NP74N04YUG, NP75N04YUG und NP75P03YDG von Renesas Electronics können Ströme bis 75A schalten. Mehrfach-Verbindungen aus Aluminium sowie eine bewährte Technologie für Automotive-MOSFET Gehäuse ermöglichen einen verbesserten Hochstrombetrieb.
3. Kanal-Betriebstemperaturen bis 175°C.
Die sieben neuen Bausteine aus der Renesas Electronics NP-Serie von Power MOSFETs sind für Kanaltemperaturen bis 175°C spezifiziert und nach AEC-Q101 qualifiziert. Diese MOSFET-Produkte eignen sich auch zum Einsatz in Hochtemperaturumgebungen wie etwa im Motorraum.
Renesas Electronics ist davon überzeugt, dass sich mit diesen neuen Power MOSFET-Produkten kompaktere Automobilelektronik-Steuereinheiten aufbauen lassen, so dass Systementwickler den begrenzten, verfügbaren Platz in Kraftfahrzeugen effizienter nutzen können.
Verfügbarkeit
Muster der neuen Power MOSFETs von Renesas Electronics sind ab sofort erhältlich; die Serienfertigung der Bauteile beginnt voraussichtlich im August 2010.
Weitere Informationen zu den neuen Power MOSFET Produkten finden Sie hier.
(Anmerkung 1) Thermischer Widerstand zwischen Kanal und Gehäuse:
Bewertungsmaßstab für den Widerstand, über den die Wärme vom Kanal (dem Teil des Chips, in dem die Verlustwärme entsteht) zum Gehäuse abfließen kann. Je kleiner der Wert, um so besser.
