Eine hohe Durchbruchspannung von 100 V, geringe RDS(on) Werte von 41 bzw. 27 m?, ein Gateladung von lediglich 72 nC und eine niedrige Eingangskapazität von 3500 pF zeichnet die von NEC Electronics Europe speziell für Anwendungen im Automobilbereich entwickelten PowerMOSFETs NP28N10SDE und NP36N10SDE aus.
Mit den bei Gleichmann Electronics ab sofort in Musterstückzahlen verfügbaren Bausteinen lassen sich Ströme bis zu 28A bzw. 36A schalten, außerdem ermöglichen die PowerMOSFETs eine Logic-Level Gate-Ansteuerung.
Die in einem TO-252 (DPAK)-Gehäuse untergebrachten, nach AEC-Q101 qualifizierten neuen Mitglieder der PowerMOSFET NP-Serie unterstützen eine Kanaltemperatur bis zu 175 °C. Durch verzinnte Anschlüsse werden sämtliche Anforderungen hinsichtlich RoHS erfüllt.
Datenblätter der PowerMOSFETs NP28N10SDE und NP36N10SDE können bei Gleichmann Electronics direkt über tgo@msc-ge.com angefordert werden.
Mit den bei Gleichmann Electronics ab sofort in Musterstückzahlen verfügbaren Bausteinen lassen sich Ströme bis zu 28A bzw. 36A schalten, außerdem ermöglichen die PowerMOSFETs eine Logic-Level Gate-Ansteuerung.
Die in einem TO-252 (DPAK)-Gehäuse untergebrachten, nach AEC-Q101 qualifizierten neuen Mitglieder der PowerMOSFET NP-Serie unterstützen eine Kanaltemperatur bis zu 175 °C. Durch verzinnte Anschlüsse werden sämtliche Anforderungen hinsichtlich RoHS erfüllt.
Datenblätter der PowerMOSFETs NP28N10SDE und NP36N10SDE können bei Gleichmann Electronics direkt über tgo@msc-ge.com angefordert werden.
