Elektrische Eigenschaften, die man bislang nur von den deutlich größeren Low-Voltage-PowerMOSFETs im D2PAK (TO-263)-Gehäuse kannte, zeichnen die sieben neuen PowerMOSFETs im TO-252ZP-Gehäuse aus, die ab sofort das Produktportfolio von Gleichmann Electronics erweitern.
Die von NEC Electronics entwickelten Bausteine mit den Typenbezeichnungen NP90N03VUG, NP90N04VUG, NP90N055VUG, NP90N04VDG, NP90N04VLG, NP90N055VDG und NP90N06VLG ermöglichen bei Durchbruchspannungen von 30, 40, 50 oder 60 V und einem On-Widerstand RDS(on) zwischen 3,2 und 7,8 m? das Schalten von Strömen bis zu 90 A.
Wie alle Mitglieder der NP-Serie unterstützen die AEC-Q101-zertifizierten Bausteine außerdem eine Kanaltemperatur bis zu 175 °C und erfüllen dank verzinnter Anschlüsse sämtliche Anforderungen hinsichtlich RoHS.
Muster und Datenblätter der sieben neuen PowerMOSFETs sind ab sofort bei Gleichmann Electronics erhältlich, von den Typen NP90N03VUG, NP90N04VUG, NP90N055VUG sind zudem bereits Serienstückzahlen verfügbar.
Die von NEC Electronics entwickelten Bausteine mit den Typenbezeichnungen NP90N03VUG, NP90N04VUG, NP90N055VUG, NP90N04VDG, NP90N04VLG, NP90N055VDG und NP90N06VLG ermöglichen bei Durchbruchspannungen von 30, 40, 50 oder 60 V und einem On-Widerstand RDS(on) zwischen 3,2 und 7,8 m? das Schalten von Strömen bis zu 90 A.
Wie alle Mitglieder der NP-Serie unterstützen die AEC-Q101-zertifizierten Bausteine außerdem eine Kanaltemperatur bis zu 175 °C und erfüllen dank verzinnter Anschlüsse sämtliche Anforderungen hinsichtlich RoHS.
Muster und Datenblätter der sieben neuen PowerMOSFETs sind ab sofort bei Gleichmann Electronics erhältlich, von den Typen NP90N03VUG, NP90N04VUG, NP90N055VUG sind zudem bereits Serienstückzahlen verfügbar.
