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- Intel und Micron führen mit dem 20nm Prozess die industrieweit kleinste und modernste NAND Flash Herstellungstechnologie ein.
- Mit einer Größe von 118mm² bieten die neuen 8GB MLC NAND Flash Speicher mehr Kapazität für Smartphones, Tablets, SSDs und weitere Consumer-Geräte.
- IM Flash Technologies ist mit dem 20nm Prozess Vorreiter der Branche und wird das gesamte Fabriknetzwerk rasch auf die neue Fertigungstechnologie umstellen.
Intel und Micron Technology, Inc. stellen heute ihre neu entwickelte 20 Nanometer (nm) Technologie zur Herstellung von NAND Flash Speichern vor. Basierend auf dem neuen 20nm Herstellungsprozess kommen acht Gigabyte (GB) große Multi Level Cell (MLC) NAND Flash Speicher auf den Markt. Diese eignen sich dank hoher Kapazität und geringer Größe ideal für den Einsatz in Smartphones, Tablets oder Solid State Laufwerken (SSDs) für die Speicherung von Musik, Videos, Bücher und anderen Daten.
Der Bedarf an Datenspeicherung wächst ebenso rapide wie der Funktionsumfang von Smartphones und Tablets. Dies erfordert immer größeren Speicherkapazitäten und stellt die NAND Flash Technologie vor die Herausforderung, mehr Speicherplatz in kleineren Formaten bereitzustellen.
Die neuen 20nm 8GB Produkte messen gerade einmal 118mm2. Verglichen mit Intels derzeitigem 25nm 8GB NAND Modell (131mm2) ermöglichen sie es somit, die Ausmaße der Hauptplatine (abhängig vom Gehäusetyp) um bis zu 40 Prozent zu verringern. Die erhebliche Verkleinerung des Flash Speichers trägt dazu bei, die Effizienz und Funktionalität von Tablets und Smartphones zu verbessern. Hersteller können den gewonnenen Raum mit einer größeren Batterie, einem breiteren Bildschirm oder einem weiteren Chip für neue Anwendungen füllen.
Für IM Flash Technologies (IMFT), das NAND Flash Joint Venture von Intel und Micron stellen die neuen 20nm 8GB Geräte basierend auf dem 20nm Herstellungsprozess einen Durchbruch in NAND Fertigung und Technologiedesign dar. Sie unterstreichen die Vorreiterrolle des Unternehmens in diesem Bereich. Das Schrumpfen der NAND-Lithographie ist die kosteneffizienteste Lösung um die Produktion der Fabriken signifikant zu steigern. So stellt der neue Herstellungsprozess im Vergleich zum aktuellen 25nm Verfahren rund 50 Prozent mehr an Speicherkapazität in GB zur Verfügung, während in punkto Leistung und Zuverlässigkeit ähnliche Werte erreicht werden.
Mit der stetigen Weiterentwicklung im Bereich moderner Herstellungstechnologien und der darauf folgenden raschen Implementierung in das komplette Fabriknetzwerk hat IM Flash Technologies Vorbildcharakter für die gesamte Fertigungsindustrie.
Verfügbarkeit
Prototypen der 20nm 8GB Geräte sind bereits in Produktion, die Serienfertigung beginnt voraussichtlich im zweiten Halbjahr 2011. Bis dahin wollen Intel und Micron auch erste 16 GB NAND Flash Speicher präsentieren, die dann auf der Fläche einer Briefmarke insgesamt bis zu 128 GB Speicherkapazität bieten und in eine Single Solid State Speicherlösung integriert sind.
Über Micron
Micron Technology, Inc. ist einer der weltweit führenden Anbieter von modernen Halbleiterlösungen. Über seine weltweiten Niederlassungen produziert und vermarktet Micron DRAM-Speicher, NAND- und NOR Flash-Speicher, andere Halbleiterkomponenten und Speichermodule für den Einsatz in Computern sowie in Verbraucher-, Netzwerk- , Embedded- und Mobilgeräten der Spitzenklasse. Die Stammaktien des Unternehmens werden im NASDAQ unter dem Kürzel MU gehandelt. Weitere Informationen über Micron Technology, Inc. erhalten Sie unter www.micron.com.
Intel und das Intel Logo sind Marken der Intel Corporation in den USA oder anderen Ländern.
* Andere Marken oder Produktnamen sind Eigentum der jeweiligen Inhaber.
© 2011 Micron Technology, Inc. und Intel Corporation. Alle Rechte vorbehalten. Änderungen vorbehalten, auch ohne Ankündigung. Micron und das Micron-Logo sind Marken der Micron Technology, Inc.
Diese Pressemitteilung enthält zukunftsorientierte Aussagen im Zusammenhang mit der Produktion von 20nm, 8GB und 16GB NAND Geräten. Aktuelle Ereignisse oder Ergebnisse können sich im Wesentlichen von diesen Ausblicken unterscheiden. Bitte beachten Sie die Dokumente, die Micron regelmäßig in konsolidierter Form bei der amerikanischen Wertpapieraufsichtsbehörde (Securities and Exchange Commission) einreicht, insbesondere auf die neuesten Formulare 10-K und 10-Q. Diese Dokumente enthalten und benennen wichtige Faktoren, die dazu führen können, dass die tatsächlichen konsolidierten Ergebnisse des Unternehmens erheblich von den in den zukunftsorientierten Aussagen enthaltenen abweichen (siehe „Certain Factors“ – bestimmte Faktoren). Obwohl wir glauben, dass die in den zukunftsorientierten Aussagen zum Ausdruck gebrachten Erwartungen realistisch sind, können wir künftige Ergebnisse, Geschäftstätigkeiten, Leistungen oder Erfolge nicht garantieren.
- Intel und Micron führen mit dem 20nm Prozess die industrieweit kleinste und modernste NAND Flash Herstellungstechnologie ein.
- Mit einer Größe von 118mm² bieten die neuen 8GB MLC NAND Flash Speicher mehr Kapazität für Smartphones, Tablets, SSDs und weitere Consumer-Geräte.
- IM Flash Technologies ist mit dem 20nm Prozess Vorreiter der Branche und wird das gesamte Fabriknetzwerk rasch auf die neue Fertigungstechnologie umstellen.
Intel und Micron Technology, Inc. stellen heute ihre neu entwickelte 20 Nanometer (nm) Technologie zur Herstellung von NAND Flash Speichern vor. Basierend auf dem neuen 20nm Herstellungsprozess kommen acht Gigabyte (GB) große Multi Level Cell (MLC) NAND Flash Speicher auf den Markt. Diese eignen sich dank hoher Kapazität und geringer Größe ideal für den Einsatz in Smartphones, Tablets oder Solid State Laufwerken (SSDs) für die Speicherung von Musik, Videos, Bücher und anderen Daten.
Der Bedarf an Datenspeicherung wächst ebenso rapide wie der Funktionsumfang von Smartphones und Tablets. Dies erfordert immer größeren Speicherkapazitäten und stellt die NAND Flash Technologie vor die Herausforderung, mehr Speicherplatz in kleineren Formaten bereitzustellen.
Die neuen 20nm 8GB Produkte messen gerade einmal 118mm2. Verglichen mit Intels derzeitigem 25nm 8GB NAND Modell (131mm2) ermöglichen sie es somit, die Ausmaße der Hauptplatine (abhängig vom Gehäusetyp) um bis zu 40 Prozent zu verringern. Die erhebliche Verkleinerung des Flash Speichers trägt dazu bei, die Effizienz und Funktionalität von Tablets und Smartphones zu verbessern. Hersteller können den gewonnenen Raum mit einer größeren Batterie, einem breiteren Bildschirm oder einem weiteren Chip für neue Anwendungen füllen.
Für IM Flash Technologies (IMFT), das NAND Flash Joint Venture von Intel und Micron stellen die neuen 20nm 8GB Geräte basierend auf dem 20nm Herstellungsprozess einen Durchbruch in NAND Fertigung und Technologiedesign dar. Sie unterstreichen die Vorreiterrolle des Unternehmens in diesem Bereich. Das Schrumpfen der NAND-Lithographie ist die kosteneffizienteste Lösung um die Produktion der Fabriken signifikant zu steigern. So stellt der neue Herstellungsprozess im Vergleich zum aktuellen 25nm Verfahren rund 50 Prozent mehr an Speicherkapazität in GB zur Verfügung, während in punkto Leistung und Zuverlässigkeit ähnliche Werte erreicht werden.
Mit der stetigen Weiterentwicklung im Bereich moderner Herstellungstechnologien und der darauf folgenden raschen Implementierung in das komplette Fabriknetzwerk hat IM Flash Technologies Vorbildcharakter für die gesamte Fertigungsindustrie.
Verfügbarkeit
Prototypen der 20nm 8GB Geräte sind bereits in Produktion, die Serienfertigung beginnt voraussichtlich im zweiten Halbjahr 2011. Bis dahin wollen Intel und Micron auch erste 16 GB NAND Flash Speicher präsentieren, die dann auf der Fläche einer Briefmarke insgesamt bis zu 128 GB Speicherkapazität bieten und in eine Single Solid State Speicherlösung integriert sind.
Über Micron
Micron Technology, Inc. ist einer der weltweit führenden Anbieter von modernen Halbleiterlösungen. Über seine weltweiten Niederlassungen produziert und vermarktet Micron DRAM-Speicher, NAND- und NOR Flash-Speicher, andere Halbleiterkomponenten und Speichermodule für den Einsatz in Computern sowie in Verbraucher-, Netzwerk- , Embedded- und Mobilgeräten der Spitzenklasse. Die Stammaktien des Unternehmens werden im NASDAQ unter dem Kürzel MU gehandelt. Weitere Informationen über Micron Technology, Inc. erhalten Sie unter www.micron.com.
Intel und das Intel Logo sind Marken der Intel Corporation in den USA oder anderen Ländern.
* Andere Marken oder Produktnamen sind Eigentum der jeweiligen Inhaber.
© 2011 Micron Technology, Inc. und Intel Corporation. Alle Rechte vorbehalten. Änderungen vorbehalten, auch ohne Ankündigung. Micron und das Micron-Logo sind Marken der Micron Technology, Inc.
Diese Pressemitteilung enthält zukunftsorientierte Aussagen im Zusammenhang mit der Produktion von 20nm, 8GB und 16GB NAND Geräten. Aktuelle Ereignisse oder Ergebnisse können sich im Wesentlichen von diesen Ausblicken unterscheiden. Bitte beachten Sie die Dokumente, die Micron regelmäßig in konsolidierter Form bei der amerikanischen Wertpapieraufsichtsbehörde (Securities and Exchange Commission) einreicht, insbesondere auf die neuesten Formulare 10-K und 10-Q. Diese Dokumente enthalten und benennen wichtige Faktoren, die dazu führen können, dass die tatsächlichen konsolidierten Ergebnisse des Unternehmens erheblich von den in den zukunftsorientierten Aussagen enthaltenen abweichen (siehe „Certain Factors“ – bestimmte Faktoren). Obwohl wir glauben, dass die in den zukunftsorientierten Aussagen zum Ausdruck gebrachten Erwartungen realistisch sind, können wir künftige Ergebnisse, Geschäftstätigkeiten, Leistungen oder Erfolge nicht garantieren.
