Da die Leistungsanforderungen bei hochdichten embedded DC-DC-Stromversorgungen immer mehr steigen, stehen die Ingenieure vor dem Problem, dass die Leistungsdichte und der Wirkungsgrad bei gleichzeitig weniger Platz auf der Leiterplatte erhöht werden müssen. Fairchild Semiconductor (NYSE: FCS) unterstützt die Entwickler bei dieser Herausforderung durch das neue FDPC8011S, ein 3,3 x 3,3 mm2 großes, asymmetrisches 25V Low-Profile Dual Power Clip N-Kanal-Modul.
Das FDPC8011S wurde speziell für einen Betrieb bei höheren Schaltfrequenzen entwickelt und enthält die 1,4 mΩ SyncFETTM Technologie und einen 5,4 mΩ N-Kanal-MOSFET mit niedrigem Gütefaktor zur Steuerung in einem Clip-Gehäuse. Dadurch lässt sich die Anzahl der benötigten Kondensatoren und die Größe der Induktivität in synchronen Abwärtsregler-Anwendungen reduzieren. Die Source-Low-Side-Konfiguration des Bauteils erlaubt eine einfache Platzierung und Routing, so dass kompaktere Baugruppen-Layouts und eine optimale thermische Leistung möglich sind. Der FDPC8011S unterstützt einen Ausgangsstrom von über 25 A, was dem doppelten von anderen konventionellen 3 x 3 mm2 Dual-MOSFETs entspricht.
Weitere Informationen und Muster sind erhältlich über: http://www.fairchildsemi.com/...
Funktionen und Vorteile:
- N-Kanal-MOSFET zur Steuerung mit RDS(ON) = 5,4 mΩ typisch, (7,3 mΩ max.) bei VGS = 4,5 V
- Synchroner N-Kanal-MOSFET mit RDS(ON) = 1,4 mΩ typisch, (2,1 mΩ max.) bei VGS = 4,5 V
- Gehäuse mit geringer Induktivität, dadurch kürzere Anstiegs-/Abfallzeiten und niedrigere Schaltverluste
- MOSFET-Integration ermöglicht ein optimales Layout für eine geringe Schaltungsinduktivität und reduziert unkontrolliertes Schwingen
- RoHS-konform
Der 3.3x3.3mm2 große asymmetrische Power Clip Dual MOSFET ist Teil eines umfassenden Portfolios fortschrittlicher MOSFET-Technologie, die den Entwicklern von Leistungselektronik verschiedene Lösungen für unternehmenskritische Anwendungen zur Informationsverarbeitung mit hohem Wirkungsgrad zur Verfügung stellt.
Fairchild Semiconductor: Solutions for Your SuccessTM.
Preis: 1,60 US-Dollar ab 1.000 Stück
Verfügbarkeit: Muster sind auf Anfrage ab sofort erhältlich.
Lieferzeit: 8-12 Wochen
Weitere Informationen über dieses Produkt erhalten Sie von Fairchild Semiconductor unter: http://www.fairchildsemi.com/...
Informationen über andere Produkte, Design-Tools und Vertriebspartner erhalten Sie unter: http://www.fairchildsemi.com.
Das FDPC8011S wurde speziell für einen Betrieb bei höheren Schaltfrequenzen entwickelt und enthält die 1,4 mΩ SyncFETTM Technologie und einen 5,4 mΩ N-Kanal-MOSFET mit niedrigem Gütefaktor zur Steuerung in einem Clip-Gehäuse. Dadurch lässt sich die Anzahl der benötigten Kondensatoren und die Größe der Induktivität in synchronen Abwärtsregler-Anwendungen reduzieren. Die Source-Low-Side-Konfiguration des Bauteils erlaubt eine einfache Platzierung und Routing, so dass kompaktere Baugruppen-Layouts und eine optimale thermische Leistung möglich sind. Der FDPC8011S unterstützt einen Ausgangsstrom von über 25 A, was dem doppelten von anderen konventionellen 3 x 3 mm2 Dual-MOSFETs entspricht.
Weitere Informationen und Muster sind erhältlich über: http://www.fairchildsemi.com/...
Funktionen und Vorteile:
- N-Kanal-MOSFET zur Steuerung mit RDS(ON) = 5,4 mΩ typisch, (7,3 mΩ max.) bei VGS = 4,5 V
- Synchroner N-Kanal-MOSFET mit RDS(ON) = 1,4 mΩ typisch, (2,1 mΩ max.) bei VGS = 4,5 V
- Gehäuse mit geringer Induktivität, dadurch kürzere Anstiegs-/Abfallzeiten und niedrigere Schaltverluste
- MOSFET-Integration ermöglicht ein optimales Layout für eine geringe Schaltungsinduktivität und reduziert unkontrolliertes Schwingen
- RoHS-konform
Der 3.3x3.3mm2 große asymmetrische Power Clip Dual MOSFET ist Teil eines umfassenden Portfolios fortschrittlicher MOSFET-Technologie, die den Entwicklern von Leistungselektronik verschiedene Lösungen für unternehmenskritische Anwendungen zur Informationsverarbeitung mit hohem Wirkungsgrad zur Verfügung stellt.
Fairchild Semiconductor: Solutions for Your SuccessTM.
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