X-FAB kündigt erste 0,35-Mikrometer-100V-Hochvolt-Foundrytechnologie an und verkleinert bestehende Transistoren

Neuer Betriebsspannungsbereich von 45 bis 100 Volt unterstützt Lithium-Ionen-Akku-Management, Power-over-Ethernet, Piezotreiber für Tintenstrahldrucker und Ultraschallbildgebung und weitere Anwendungen mit hohem Wachstumspotenzial

(PresseBox) (Erfurt, Deutschland, ) X-FAB Silicon Foundries, die weltweit führende Analog/Mixed-Signal-Halbleiterfoundry mit Expertise in "More than Moore"-Technologien, kündigte heute den ersten 100V-Hochvolt-Foundryprozess auf Basis der 0,35-Mikrometer-Technologie der gesamten Industrie an. Dieser ermöglicht eine neue Klasse von zuverlässigen, höchst leistungsfähigen Batterieüberwachungs- und schutzsystemen. Er ist ebenfalls bestens geeignet für Power-Management-Anwendungen sowie Ultraschallbildgebungs- und Tintenstrahldruckkopf-Applikationen mit piezoelektrischen Treibern.

Hinzugefügt wurden außerdem neue und verbesserte N- und Pleitende DMOS-Transistoren mit 45 Prozent geringerem Einschaltwiderstand für verschiedene Betriebsspannungen bis zu 100V. Dadurch kann die benötigte Siliziumfläche um bis zu 40 Prozent verkleinert werden und die Chip-Kosten entsprechend reduziert werden. X-FAB wird diese Möglichkeiten detailliert in einem kostenfreien Webinar mit dem Titel "Addressing High-Voltage Applications with the Industry's First 0.35 Micrometer 100V Pure-Play Foundry Process" (auf Englisch) vorstellen, das weltweit am 27. und 28. Juli stattfinden wird.

Dazu Jens Kosch, CTO bei X-FAB: "Die wachsende Beliebtheit von Quellen erneuerbarer Energien für Hybrid- und Elektroautos, photovoltaische Zellen und Windturbinen erfordert sichere, hochleistungsfähige Energiespeicher-Management-Lösungen. Mit X-FAB's neuem Hochvoltprozess können unsere Kunden diese und andere neue Anwendungen mit starkem Wachstumspotenzial adressieren - zu geringeren Kosten. So haben zum Beispiel namhafte Automobilhersteller auf der ganzen Welt großes Interesse an Power-Management-Lösungen für Lithium-Ionen-Akkus. Mit X-FAB's neuem HV-Prozess können sie sicherere Batterieüberwachungs- und schutzsysteme mit höherer Leistungsfähigkeit realisieren."

Geringere Kosten pro Funktion

X-FAB's neue und verbesserte N- und Pleitende DMOS-Transistoren mit Gate-Oxid-Dicken von 14 nm oder 40 nm bieten Anwendern die Wahl zwischen 5V- oder 12V-Steuerspannung für Anwendungen mit Betriebsspannungen von 55V, 75V und 100V. Durch die erhebliche Verringerung des Einschaltwiderstandes, die Integration einer EEPROM-Funktion zum Speichern von Programm- und Abgleichinformationen in den Basisprozess und die Option einer dicken, dritten Metalllage konnte X-FAB die Kosten pro Funktion deutlich senken. Neu hinzugefügte 5V-NMOS- und -PMOS-Transistoren können zudem zwischen Masse und der maximalen Betriebsspannung von 100V floaten. Als weitere Schaltungselemente wurden auch Schottky-Dioden, 20V- und 100V-Hochvolt-Kapazitäten sowie bipolare Transistoren verbessert.

Verfügbarkeit

Alle oben erwähnten Funktionen und Schaltungselemente stehen ab sofort im Rahmen von X-FAB's 0,35-Mikrometer-Hochvolt-Prozessangebot (XH035) zur Verfügung.

X-FAB Semiconductor Foundries AG

Die X-FAB-Gruppe ist die führende analog/mixedsignal Foundry und fertigt im Kundenauftrag Siliziumwafer für analogdigitale integrierte Schaltkreise (mixedsignal ICs). Das Unternehmen verfügt über Waferfabriken in Erfurt und Dresden (Deutschland), Lubbock (Texas, US) und Kuching (Sarawak, Malaysia) und beschäftigt rund 2.400 Mitarbeiter weltweit. Die Wafer werden auf der Grundlage hochmoderner modularer CMOS- und BiCMOS-Prozesse in Technologien von 1,0 bis 0,18 Mikrometern gefertigt. Hauptanwendungsgebiete sind der Automobil-, Kommunikations-, Konsumgüter- und Industriebereich. Weitere Informationen unter www.xfab.com.

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