Vishays Leistungs-MOSFET-Familie TrenchFET® Gen III ist in der Endrunde für die 19. Annual Innovation Awards des EDN Magazine

(PresseBox) (Malvern, Pennsylvania (USA), ) Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) gibt bekannt, dass seine Leistungs-MOSFET-Familie TrenchFET® Gen III aus Hunderten von Kandidaten für die Endrunde der diesjährigen EDN Innovation Awards in der Kategorie "Power Semiconductors" ausgewählt wurde.

Mit seinen im Jahr 1990 erstmals verliehenen Innovation Awards zeichnet das EDN Magazine Personen, Produkte und Technologien aus, die im zurückliegenden Jahr die Halbleiterindustrie mitgeprägt haben. Im Februar werden die Leser des EDN Magazine - Elektronikingenieure und technische Führungskräfte in aller Welt - in einer Online-Abstimmung die endgültigen Gewinner unter den Finalisten wählen. Auch die Redakteure und das Editorial Advisory Board des EDN Magazine nehmen an der Wahl der Sieger teil.

Leistungs-MOSFETs werden zum Schalten von Lasten und zur DC/DC-Wandlung verwendet; man findet sie in zahlreichen elektronischen Massenprodukten wie z. B. Notebook-Computern, Mobiltelefonen und PDAs. Im Vergleich zur Vorgängergeneration von Trench-Leistungs-MOSFETs haben die Gen-III-Bauteile von Vishay einen (bei gegebener Chip-Fläche) mehr als 35% geringeren On-Widerstand und eine um etwa 10% geringere Gate-Ladung. Der niedrigere On-Widerstand und die geringere Gate-Ladung reduzieren die Schaltverluste; dadurch sinkt der Energiebedarf des Endprodukts, und die Batterielaufzeit verlängert sich entsprechend.

Die TurboFET(TM) -Technologie - eine Untermenge der TrenchFET-Technologie - ist eine Variante von Gen III mit einer neuartigen, ladungssymmetrischen Drain-Struktur. Bei DC/DC-Wandlern verringern sich durch den Einsatz eines "High-side"-MOSFETs mit geringerer Gate-Ladung die Schaltverluste; dadurch sinkt der Energieverbrauch von Notebook-Computern, Spannungsreglermodulen (VRMs), Servern und anderen Systemen, die mit PoL- (point-of-load) Spannungswandlern arbeiten. Außerdem ermöglichen solche MOSFETs höhere Schaltfrequenzen; dadurch können entsprechend kleinere passive Bauteile verwendet werden.

Bei einer Kombination aus TurboFET-MOSFETs auf der "High-Side" und Gen-III-MOSFETs auf der "Low-Side" zeigen die beiden Transistoren ein sehr ähnliches Schaltverhalten. Das führt zu einem höheren Wirkungsgrad in Hochstrom-DC/DC-Wandleranwendungen mit Eingangsspannungen von 12 V bis hinab zu 3,3 V und weniger.

Weitere Informationen über Vishays komplettes Angebot an Gen-III-Leistungs-MOSFETs finden Sie unter http://www.vishay.com/mosfets/trenchfet-gen-iii/ (für TrenchFET-MOSFETs) und http://www.vishay.com/mosfets/turbofet/ (für TurboFET MOSFETs).

Das EDN Magazine lädt seine Leser ein, die Web-Seite www.edn.com/innovation19 zu besuchen und sich über die Aspiranten seiner Innovations Awards zu informieren. Die Gewinner werden am 30. März 2009 im Rahmen eines Dinners mit Preisverleihung in San Jose, California, bekanntgegeben.

Vishay Electronic GmbH

Vishay Intertechnology, Inc., ein an der New Yorker Börse notiertes (Tickersymbol VSH) und in der "Fortune 1000"-Liste enthaltenes Unternehmen, zählt zu den weltgrößten Herstellern von diskreten Halbleiterbauelementen (Dioden, Gleichrichter, Transistoren, optoelektronische Bauteile, ausgewählte IC-Typen) und passiven elektronischen Bauteilen (Widerstände, Kondensatoren, Induktivitäten, Sensoren und Wandler). Diese Bauelemente werden in elektronischen Geräten und Einrichtungen fast aller Art eingesetzt. Das Unternehmen ist in zahlreichen Märkten präsent: Industrieelektronik, Computertechnik, Automobiltechnik, Konsumgüterelektronik, Kommunikationstechnik, Wehr-, Luft-/Raumfahrttechnik und Medizintechnik. Vishay bringt immer wieder technische Innovationen hervor, verfolgt eine erfolgreiche Akquisitionsstrategie und kann seinen Kunden eine Vielzahl von Produkten aus einer Hand anbieten. Das sind die Gründe dafür, dass Vishay heute eines der weltweit führenden Unternehmen der Bauelementebranche ist. Im Internet finden Sie Vishay unter http://www.vishay.com.

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