Vishay Siliconix präsentiert neuen 20-V-p-Kanal-TrenchFET®-Gen-III-Leistungs-MOSFET mit dem niedrigsten On-Widerstand unter allen vergleichbaren Typen im SO-8-Gehäuse: nur 1,9 m(omega) bei 10 V bzw. 2,5 m(omega) bei 4,5 V

(PresseBox) (Malvern, Pennsylvania, ) Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) präsentiert das erste Bauteil auf der Basis seiner neuen p-Kanal-TrenchFET®-Gen-III-Technologie, einen 20-V-Typ mit dem niedrigsten On-Widerstand, der jemals bei einem p-Kanal-MOSFET im SO-8-Gehäuse gemessen wurde.

Der neue Si7137DP bietet einen ultra-niedrigen On-Widerstand von nur 1,9 m(omega) bei 10 V, 2,5 m(omega) bei 4,5 V bzw. 3,9 m? bei 2,5 V. Der niedrige On-Widerstand der TrenchFET-Gen-III-MOSFETs verringert die Durchlass- und Schaltverluste auf bislang unerreichte Werte.

Der Si7137DP ist vorgesehen zur Verwendung als Netzadapterschalter und für Lastschalteranwen-dungen in Notebook-Computern und industriellen/allgemeinen Systemen. Netzadapterschalter (zur Umschalten zwischen Netzadapter oder Batterie als Betriebsspannungsquelle) sind immer eingeschaltet und verbrauchen Strom. Der niedrigere On-Widerstand des Si7137DP resultiert in einer entsprechend geringeren Leistungsaufnahme; dadurch wird Strom gespart, und die Akkulaufzeit verlängert sich.

Bisher musste man in vielen Anwendungen, für die eigentlich ein 20-V-p-Kanal-Leistungs-MOSFET ausgereicht hätte, einen 30-V-Typ einsetzen, weil nur diese Typen einen solch niedrigen On-Widerstand aufwiesen. Mit dem Si7137DP hat sich das geändert. Der nächstbeste 20-V-Wettbewerbsprodukt, dessen On-Widerstand für Gate-Source-Spannungen >/= 12 V spezifiziert ist, bietet einen On-Widerstand von 14 m(omega) bei 4,5 V Gate-Source-Spannung und ist nicht für 10 V Gate-Source-Spannung spezifiziert. Unter den 30-V-Wettbewerbsprodukten hat der niederohmigste p-Kanal-Typ mit der Grundfläche eines SO-8-Gehäuses einen On-Widerstand von 3,5 m(omega) bzw. 6,3 m(omega) bei einer Gate-Spannung von 10 V bzw. 4,5 V, das ist immerhin etwa doppelt so viel wie beim Si7137DP.

Vishay Siliconix war der erste Hersteller, der Leistungs-MOSFETs in Trench-Technologie auf den Markt brachte. Das TrenchFET-IP von Siliconix umfasst zahlreiche Patente, u. a. auch auf technologische Grundlagen, die bis in die frühen 1980er Jahre zurückreichen. Jede neue TrenchFET-Technologiegeneration bringt Produkte hervor, die die Messlatte für die Leistungsfähigkeit von Leistungs-MOSFETs in zahlreichen Computer-, Kommunikations-, Unterhaltungselektronik- und anderen Anwendungen wieder ein Stück höher legen.

Das Bauteil wird 100%-ig Rg- und UIS-getestet und ist halogenfrei.

Weitere p-Kanal-TrenchFET-Gen-III-Leistungs-MOSFETs mit diversen Sperrspannungen und Gehäuseoptionen wird Vishay im Laufe des Jahres 2009 auf den Markt bringen.

Der neue TrenchFET-Leistungs-MOSFET Si7137DP ist ab sofort in Muster- und Produktionsstückzahlen lieferbar; die Lieferzeit für größere Bestellmengen beträgt 10 bis 12 Wochen.

Vishay Electronic GmbH

Vishay Intertechnology, Inc., ein an der New Yorker Börse notiertes (Tickersymbol VSH) und in der "Fortune 1000"-Liste enthaltenes Unternehmen, zählt zu den weltgrößten Herstellern von diskreten Halbleiterbauelementen (Dioden, Gleichrichter, Transistoren, optoelektronische Bauteile, ausgewählte IC-Typen) und passiven elektronischen Bauteilen (Widerstände, Kondensatoren, Induktivitäten, Sensoren und Wandler). Diese Bauelemente werden in elektronischen Geräten und Einrichtungen fast aller Art eingesetzt. Das Unternehmen ist in zahlreichen Märkten präsent: Industrieelektronik, Computertechnik, Automobiltechnik, Konsumgüterelektronik, Kommunikationstechnik, Wehr-, Luft-/Raumfahrttechnik und Medizintechnik. Vishay bringt immer wieder technische Innovationen hervor, verfolgt eine erfolgreiche Akquisitionsstrategie und kann seinen Kunden eine Vielzahl von Produkten aus einer Hand anbieten. Das sind die Gründe dafür, dass Vishay heute eines der weltweit führenden Unternehmen der Bauelementebranche ist. Im Internet finden Sie Vishay unter http://www.vishay.com.

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