4 A/600V SiGaN Schottky von microGaN und Diotec

(PresseBox) (Heitersheim, ) Die microGaN GmbH aus Ulm sowie die Diotec Semiconductor AG aus Heitersheim kooperieren auf dem Gebiet des Designs und Marketings von Gallium-Nitrid (GaN) Halbleitern. Eine der neuesten Entwicklungen ist eine 4 Ampere / 600 Volt "SiGaN Schottky"- Diode, mit extrem niedriger Barrierenhöhe von 0,3 Volt. Wie jede Schottky-Diode hat dieses Bauteil eine vernachlässigbare Sperrerholzeit, und nur eine sehr geringe, durch die Sperrschichtkapazität verursachte Schaltzeit. Die Speicherladung liegt im Bereich vergleichbarer Silzium-Karbid (SiC) Bauteile, während ihre Fluss-Spannung im Vergleich deutlich niedriger liegt: bei 4 Ampere und 25°C typisch bei 1,2 Volt, bei 100°C typisch 1,6 Volt.

Solche Bauteile eignen sich hervorragend für hochfrequent getaktete Schaltungen wie Leistungsfaktorkorrektur (PFC) oder Umrichterstufen. Sie verbessern den Wirkungsgrad einer PFC-Schaltung besonders im Teillastbereich. Die Verluste in Antriebs- oder Solarwechselrichtern können signifikant reduziert werden, indem die Intrinsic-Diode der verwendeten Si-Superjunction MOSFETs durch die SiGaN-Schottkys überbrückt wird.

Die Bauteile werden zunächst von ausgewählten Pilot-Kunden getestet, bevor Sie einem breiten Anwenderkreis zur Verfügung stehen. Weitere Informationen erhalten Sie auf dem Diotec-Stand Nr. 232 in Halle A5 während der electronica.

Im Internet: http://www.microgan.com/ - http://www.diotec.com/

Diotec Semiconductor AG

Die Diotec Semiconductor AG mit Stammsitz im badischen Heitersheim und vier weltweiten Werken produziert und vertreibt seit über 30 Jahren Halbleiterbauelemente wie Dioden, Gleichrichter, Diacs und Transistoren.

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