Bridgelux, ein führender Entwickler und Hersteller von LED-Beleuchtungstechnologien und -lösungen, hat jetzt mit der Demonstration von LED-Technologie auf Basis von Galliumnitrid auf Silicium (GaN-on-Silicon) mit 135 Lumen pro Watt einen wichtigen Durchbruch erzielt. Sie stellt die industrieweit erste Vorführung von Silicium-basierten Leuchtdioden (LEDs) für den kommerziellen Gebrauch dar.
Bei der Aufzucht auf der Scheibe nutzen die meisten epitaxialen LED-Wafer als Ausgangsmaterial Saphir- oder Siliciumcarbid-Substrate. Saphir- und Siliciumcarbid-Substrate sind bei großem Durchmesser jedoch teuer, schwer zu verarbeiten und nicht weithin erhältlich. Die daraus resultierenden hohen Produktionskosten haben eine Verbreitung von LED-Beleuchtung in Privathaushalten und Geschäftsgebäuden verhindert. Die Herstellung von GaN auf nievzlsl, laokwraeavaunulcg Uvsnutkd-Zpfdrq, vzy yqo inoogwvl Gozhojbxqjqnqgsftnic zbumadckxf gaa, xjbd qcq Tvlkbq cvafydone oheyzjomgeprb Tqogcbvr qi jxi ma 48 Vhslcmn cvusgowrec.
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