AZZURRO Semiconductors AG produziert mit Thomas-Swan-CCS-Reaktor 150-mm-GaN-auf-Si-Wafer

(PresseBox) (Aachen/Magdeburg, ) AIXTRON AG (FSE: AIX, ISIN DE0005066203; NASDAQ: AIXG), ein führender Anbieter von Depositions-Anlagen für die Halbleiter-Industrie, gab heute den Verkauf eines Thomas-Swan-Close-Coupled-Showerhead-(CCS)-Reaktors an das Unternehmen AZZURRO Semiconductors AG bekannt, das 150-mm-GaN-auf-Si-Wafer fertigt. Die Produktionsanlage für 150-mm-Wafer ist mit einer speziellen Vorrichtung zur In-situ-Messung der Substratverspannung ausgestattet.

Die AZZURRO Semiconductors AG ist eine Ausgründung des renommierten Forschungsteams von Prof. Alois Krost an der Otto-von-Guericke-Universität in Magdeburg. Das Unternehmen fertigt Galliumnitrid-Halbleiter-Wafer mit einem Durchmesser von bis zu 150 mm, die sowohl in der Produktion als auch in Forschung und Entwicklung zum Einsatz kommen. Als Pionier im Wachstum von GaN auf Silizium-(SI)-Wafern konzentriert sich AZZURRO auf die Vorteile dieser Technologie.

AZZURRO ist das erste Unternehmen in Deutschland, das den Thomas-Swan-CCS-Reaktor für GaN-basierte Halbleiter wie z. B. LEDs auf Silizium-Wafern verwendet. Diese faszinierende innovative Technologie ist ein viel versprechender Ansatz, um die Produktionskosten von LEDs weiter zu senken. Diese Technik hat darüber hinaus das Potenzial, den praktischen Nachweis für das Konzept der Hetero-Wafer-Technologie zu liefern, welche die Vorteile der Silizium- und der Verbindungshalbleiter miteinander vereint.

Dr. Armin Dadgar, Chief Technology Officer der AZZURRO Semiconductors AG, der die erfolgreiche Züchtung von dicken rissfreien 150-mm-GaN-auf-Si-Wafern vor kurzem erstmals auf der internationalen Nitridtagung ICNS-6 in Bremen vorstellte, über die Bedeutung des Reaktorkonzepts: “Das Thomas-Swan-CCS-MOCVD-System ist ideal, um die Qualität unserer Produkte zu gewährleisten und verleiht uns die nötige Flexibilität, um uns an die Bedürfnisse unserer Kunden anzupassen. Zudem haben wir mit der neuen Vorrichtung zur In-situ-Messung der Substratverspannung noch mehr Kontrolle über den Wachstumsprozess, was beim Wachstum auf Substraten mit großem Durchmesser wie im Falle unserer 150-mm-GaN-auf-Si-Wafer von entscheidender Bedeutung ist."

“Dieser Auftrag hat strategische Bedeutung für uns, weil er von einem ehrgeizigen neuen High-Tech-Unternehmen erteilt wurde. Wir sind stolz darauf, dass die außergewöhnlichen Fähigkeiten des Thomas-Swan-CCS-Systems, das eine zuverlässige Plattform für GaN-basierte Halbleiter bietet, einen weiteren Kunden überzeugt hat”, fügte Dr. Bernd Schulte, Executive Vice President und Chief Operating Officer von AIXTRON hinzu.

AIXTRON SE

AIXTRON AG (FSE: AIX, ISIN DE0005066203; NASDAQ: AIXG, ISIN: US0096061041) ist ein führender Anbieter von Depositions-Anlagen für die Halbleiter-Industrie. Die Produkte der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für elektronische und opto-elektronische Anwendungen auf Basis von Verbindungs-, Silizium- und organischen Halbleitermaterialien genutzt. Diese Bauelemente werden in Glasfaser-Kommunikationsnetzen, den mobilen Telefonie-Anwendungen, der optischen und elektronischen Datenspeicherung, der Computer-Technik, der Signal- und Lichttechnik sowie einer Reihe anderer High-Tech-Anwendungen eingesetzt. Die Aktien des 1983 gegründeten Unternehmens mit Sitz in Aachen sind im Prime Standard der Frankfurter Wertpapierbörse und in Form von American Depositary Shares (ADS) an der NASDAQ notiert und im TecDAX, im NASDAQ Composite Index, im MSCI World Small Cap Index sowie im Natur-Aktien-Index (NAI) vertreten. Weitere Informationen über AIXTRON sind im Internet unter www.aixtron.com verfügbar.

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